[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610115020.2 | 申請日： | 2016-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN105679676A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 梁學磊;惠官寶;夏繼業(yè);張方振;田博元;嚴秋平;彭練矛 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京大學 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制備 方法 陣列 | ||
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
形成有源層的圖形，所述有源層采用碳納米管材料制成；
形成金屬氧化物層的圖形，所述金屬氧化物層至少覆蓋所述有源層位于薄 膜晶體管的源極和漏極之間的全部區(qū)域。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成金屬氧化物層的圖形 包括：
使用蒸鍍工藝，在所述有源層位于薄膜晶體管的源極和漏極之間的全部區(qū) 域上進行蒸鍍，形成所述金屬氧化物的圖形。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化釔。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成金屬氧化物層的圖形 包括：
在所述有源層上形成一金屬層的圖形，所述金屬層至少覆蓋所述有源層位 于薄膜晶體管的源極和漏極之間的全部區(qū)域；
對所述金屬層進行氧化處理，形成所述金屬氧化物的圖形。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述有源層上形成一金 屬層的圖形，包括：
使用電子束鍍膜工藝，在所述有源層上形成所述金屬層的圖形。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，對所述金屬層進行氧化處 理，包括：
在氧氣環(huán)境中對形成有所述金屬層的薄膜晶體管進行加熱操作，氧化所述 金屬層。
7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述加熱操作產生的溫度 范圍為20℃～450℃。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述加熱操作產生的溫度 范圍為200℃～350℃。
9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，對所述金屬層進行氧化處 理，包括：
使用紫外線氧化技術，氧化所述金屬層。
10.根據權利要求4至9中任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬層 的厚度范圍為5nm～1000nm。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍 為20nm～100nm。
12.根據權利要求4至9中任一項所述的方法，其特征在于，所述金屬層 的材料為釔。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納 米管、雙壁碳納米管或碳納米管管束。
14.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用權利要求1至 13中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法制備而成。
15.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求14所述的薄膜晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
