[發明專利]譯碼方法、存儲器儲存裝置及存儲器控制電路單元

有效

• 申請號: 201610114317.7
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN107146638B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 林緯
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/34
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種譯碼方法，用于包括多個記憶胞的可復寫式非易失性存儲器模塊，其特征在于，所述譯碼方法包括：

程序化所述多個記憶胞中的至少一第一記憶胞；

基于第一硬決策電壓準位讀取所述至少一第一記憶胞以獲得第一硬位信息；

根據所述第一硬位信息執行硬譯碼程序并判斷所述硬譯碼程序是否失敗；

若所述硬譯碼程序失敗，判斷所述至少一第一記憶胞屬于第一類記憶胞或第二類記憶胞；

若所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞，基于第二硬決策電壓準位讀取所述至少一第一記憶胞以獲得第二硬位信息并根據所述第二硬位信息執行所述硬譯碼程序，其中所述第二硬決策電壓準位與所述第一硬決策電壓準位不同，其中所述第一硬位信息所包含的第一硬位的總數等于所述第二硬位信息所包含的第二硬位的總數；以及

若所述第一記憶胞屬于所述第二類記憶胞，基于多個軟決策電壓準位讀取所述至少一第一記憶胞以獲得軟位信息并根據所述軟位信息執行軟譯碼程序，其中所述第二硬位信息所包含的所述第二硬位的總數小于所述軟位信息所包含的軟位的總數。

2.根據權利要求1所述的譯碼方法，其特征在于，判斷所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞或所述第二類記憶胞的步驟包括：

若所述至少一第一記憶胞的損耗程度符合預設條件，判定所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞；以及

若所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度不符合所述預設條件，判定所述至少一第一記憶胞屬于所述第二類記憶胞。

3.根據權利要求2所述的譯碼方法，其特征在于，判斷所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞或所述第二類記憶胞的步驟還包括：

判斷所述至少一第一記憶胞的損耗程度值是否小于默認值；

若所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度值小于所述默認值，判定所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度符合所述預設條件；以及

若所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度值等于或大于所述默認值，判定所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度不符合所述預設條件。

4.根據權利要求3所述的譯碼方法，其特征在于，判斷所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞或所述第二類記憶胞的步驟還包括：

根據所述至少一第一記憶胞的損耗參數決定所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度值，其中所述至少一第一記憶胞的所述損耗參數包括抹除計數、程序化計數、讀取計數、位錯誤率、數據儲存時間、程序化忙碌時間及重試計數的至少其中之一。

5.根據權利要求4所述的譯碼方法，其特征在于，還包括：

當程序化所述至少一第一記憶胞時，記錄用于程序化所述至少一第一記憶胞的忙碌時間；以及

根據所述忙碌時間決定所述程序化忙碌時間。

6.根據權利要求4所述的譯碼方法，其特征在于，還包括：

程序化所述多個記憶胞中的至少一第二記憶胞；

讀取所述至少一第二記憶胞并對應于所述至少一第二記憶胞執行第一次數的所述硬譯碼程序；以及

根據所述第一次數決定所述重試計數。

7.根據權利要求6所述的譯碼方法，其特征在于，映射至所述至少一第一記憶胞的第一邏輯單元是接續于映射至所述至少一第二記憶胞的第二邏輯單元。

8.根據權利要求6所述的譯碼方法，其特征在于，所述至少一第一記憶胞與所述至少一第二記憶胞屬于所述可復寫式非易失性存儲器模塊中的同一個實體抹除單元。

9.根據權利要求2所述的譯碼方法，其特征在于，判斷所述至少一第一記憶胞屬于所述第一類記憶胞或所述第二類記憶胞的步驟還包括：

判斷所述至少一第一記憶胞的臨界電壓分布是否符合默認分布；

若所述至少一第一記憶胞的所述臨界電壓分布符合所述默認分布，判定所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度符合所述預設條件；以及

若所述至少一第一記憶胞的所述臨界電壓分布不符合所述默認分布，判定所述至少一第一記憶胞的所述損耗程度不符合所述預設條件。