[發(fā)明專利]一種等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610114061.X | 申請日： | 2016-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN107146753B | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳妙娟;吳狄;倪圖強 | 申請（專利權(quán)）人： | 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01J37/04;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置一上電極和一下電極，一供電裝置設(shè)置于所述下電極下方，將射頻功率施加到所述下電極上，其特征在于：所述下電極下方設(shè)置管道和電線，所述供電裝置包括空心的射頻輸送管道，所述管道和電線設(shè)置于所述空心的射頻輸送管道內(nèi)，所述供電裝置還包括至少一射頻匹配電路，所述射頻輸送管道連接所述射頻匹配電路，一射頻功率源輸出的射頻信號經(jīng)所述射頻匹配網(wǎng)絡(luò)及所述射頻輸送管道施加到所述下電極。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述供電裝置包括三根空心的射頻輸送管道，所述三根射頻輸送管道與所述下電極有三個電連接點，所述三個電連接點構(gòu)成一個同心圓。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述三個電連接點中相鄰兩電連接點的距離相等。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述管道包括液體輸送管道和氣體輸送管道，所述液體輸送管道，所述氣體輸送管道和所述電線分別位于一根射頻輸送管道內(nèi)部。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述液體輸送管道，所述氣體輸送管道和所述電線位于同一根射頻輸送管道內(nèi)部。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述液體輸送管道內(nèi)部填充冷卻水或其它冷卻液，所述下電極下方設(shè)置若干液體輸送管道，每一射頻輸送管道內(nèi)設(shè)置至少一根液體輸送管道。
7.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述氣體輸送管道內(nèi)部填充氦氣，所述下電極下方設(shè)置若干氦氣輸送管道，每一射頻輸送管道內(nèi)設(shè)置至少一根氦氣輸送管道。
8.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述的射頻輸送管道主體材料為銅。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述射頻輸送管道的主體表面鍍金或銀材料。
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