[發明專利]互補型薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201610113712.3
• 申請日: 2016-02-29
• 公開（公告）號: CN105742308B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 曾勉;蕭祥志;張盛東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/28
• 分類號: H01L27/28;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/00;H01L51/40
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管包含：

一基板，定義有相鄰的一N型晶體管區及一P型晶體管區；

一N型半導體層，設置在所述基板上方且位于所述N型晶體管區中，其中所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；

一P型半導體層，設置在所述基板上方且位于所述P型晶體管區中，其中所述P型半導體層包含一有機半導體材料；

一刻蝕阻擋層，形成在所述N型半導體層上并位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中，且所述P型半導體層形成在所述刻蝕阻擋層上；

及

一電極金屬層，形成在位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中，其中所述電極金屬層形成在所述N型半導體層上，所述P型半導體層形成在所述電極金屬層上，所述電極金屬層通過所述刻蝕阻擋層的至少一通孔而與所述N型半導體層接觸。

2.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管還包含一第一柵極層及一絕緣層，其中所述第一柵極層形成在所述基板上且位于所述N型晶體管區，所述絕緣層形成在所述第一柵極層及所述基板上且位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中，其中所述N型半導體層及所述刻蝕阻擋層形成在所述絕緣層上。

3.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管還包含一緩沖層，形成在整個所述刻蝕阻擋層上并位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中。

4.如權利要求2或3所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述互補型薄膜晶體管還包含：一鈍化層，形成在所述電極金屬層上且位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中；及一第二柵極層，形成在所述鈍化層上且位于所述P型晶體管區中。

5.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述N型半導體層的金屬氧化物材料選自于銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物或鋅錫氧化物。

6.如權利要求1所述的互補型薄膜晶體管，其特征在于：所述P型半導體層的有機半導體材料選自于并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物或花菁。

7.一種互補型薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步驟：一第一柵極層形成步驟，在一基板上定義相鄰的一N型晶體管區及一P型晶體管區，并將一第一柵極層形成在所述基板上并位于所述N型晶體管區中；

一絕緣層形成步驟，將一絕緣層形成在所述第一柵極層及所述基板上且位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中；

一N型半導體層形成步驟，將一N型半導體層形成在絕緣層上且位于所述N型晶體管區中，其中所述N型半導體層包含一金屬氧化物材料；

一刻蝕阻擋層形成步驟，將一刻蝕阻擋層形成在所述N型半導體層及所述絕緣層上并位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中；

一電極金屬層形成步驟，將一電極金屬層形成在所述N型半導體層上且位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中，所述電極金屬層通過所述刻蝕阻擋層的至少一通孔而與所述N型半導體層接觸；及

一P型半導體層形成步驟，將一P型半導體層形成在所述電極金屬層上且位于所述P型晶體管區中，其中所述P型半導體層包含一有機半導體材料。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法在所述刻蝕阻擋層形成步驟之后還包含一緩沖層形成步驟，將一緩沖層形成在整個所述刻蝕阻擋層上并位于所述N型晶體管區及所述P型晶體管區中。