[發明專利]陣列基板的封裝結構及封裝方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201610112413.8 | 申請日: | 2016-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN105489786B | 公開(公告)日: | 2018-01-02 |
| 發明(設計)人: | 金健;蘇聰藝 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 封裝 結構 方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板的封裝結構,其特征在于,包括:
陣列基板,所述陣列基板的顯示區形成有多個有機發光顯示單元;
位于所述陣列基板顯示區覆蓋所述多個有機發光顯示單元的第一無機膜層;
位于所述陣列基板顯示區周緣的凸起結構;
位于所述凸起結構圍成的顯示區內,背離所述第一無機膜層一側的有機膜層;
其中,所述凸起結構的表面對所述有機膜層的形成溶液具有排斥性,且所述有機膜層的厚度大于所述凸起結構的高度;所述有機膜層的厚度與所述凸起結構的高度之間的差值d滿足0<d<h,h為所述凸起結構的高度。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,10%≤d/h≤50%。
3.根據權利要求2所述的封裝結構,其特征在于,0μm<h≤20μm。
4.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述凸起結構包括擋墻結構,所述擋墻結構的表面對所述有機膜層的形成溶液具有排斥性。
5.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,所述凸起結構包括擋墻結構和位于所述擋墻結構表面的無機膜覆蓋層,所述無機膜覆蓋層的表面對所述有機膜層的形成溶液具有排斥性。
6.根據權利要求1-5任一項所述的封裝結構,其特征在于,所述封裝結構還包括:
位于所述有機膜層背離所述第一無機膜層一側的第二無機膜層。
7.一種陣列基板的封裝方法,其特征在于,該方法包括:
提供陣列基板,所述陣列基板表面的顯示區形成有多個有機發光顯示單元;
在所述陣列基板表面顯示區形成覆蓋所述有機發光顯示單元的第一無機膜層;
在所述陣列基板顯示區周緣形成凸起結構;
對所述凸起結構表面進行處理,使得所述凸起結構的表面對于待形成的有機膜層的形成溶液具有排斥性;
在所述凸起結構圍成的顯示區內,所述第一無機膜層背離所述陣列基板一側表面形成有機膜層,所述有機膜層的厚度大于所述凸起結構的高度,所述有機膜層的厚度與所述凸起結構的高度之間的差值d滿足0<d<h,h為所述凸起結構的高度;
其中,所述有機膜層的形成工藝為噴墨打印工藝。
8.根據權利要求7所述的封裝方法,其特征在于,對所述凸起結構表面進行處理包括:
利用等離子體處理所述凸起結構的表面,或利用紫外線照射所述凸起結構的表面。
9.根據權利要求8所述的封裝方法,其特征在于,所述等離子體為含氟基氣體和氧氣的混合氣體的等離子體,或氧氣的等離子體。
10.根據權利要求7所述的封裝方法,其特征在于,在所述凸起結構圍成的顯示區內,所述第一無機膜層背離所述陣列基板一側表面形成有機膜層,所述有機膜層的厚度大于所述凸起結構的高度包括:
根據所述凸起結構的高度計算所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積;
根據所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積,設置所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積,所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積大于所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積;
根據所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積,在所述凸起結構圍成的顯示區內,所述第一無機膜層背離所述陣列基板一側表面形成有機膜層。
11.根據權利要求10所述的封裝方法,其特征在于,所述根據所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積,設置所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積,所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積大于所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積包括:
根據所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積以及所述待形成有機膜層形成時所用設備的參數,計算所述待形成有機膜層所需墨滴的理想數量和每個墨滴的理想體積;
根據所述待形成有機膜層所需墨滴的理想數量和每個墨滴的理想體積,設置所述待形成有機膜層所需墨滴的實際數量和每個墨滴的實際體積,使得所述待形成有機膜層所需墨滴的實際體積大于所述待形成有機膜層所需墨滴的理想體積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





