[發明專利]一種輻射敏感場效應晶體管及其制備方法有效
| 申請號： | 201610111860.1 | 申請日： | 2016-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN105552113B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 王漪;張曉密;倫志遠;叢瑛瑛;董俊辰;趙飛龍;韓德棟 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L29/10 | 分類號： | H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 場效應晶體管 二氧化硅層 石墨烯薄膜 輻射敏感 干法制備 探測器 高能粒子輻射 離子注入工藝 多層石墨烯 器件靈敏度 調整器件 二氧化硅 緩沖作用 界面問題 絕緣溝道 器件損傷 氧化硅層 源漏電極 源漏接觸 雜質陷阱 閾值電壓 溝道層 硅襯底 靈敏度 總劑量 電阻 減小 疏松 探測 輻射 引入 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于石墨烯薄膜材料的場效應晶體管的制備方法，包括以下步驟：
1)在硅襯底上生長一層導電薄膜，光刻刻蝕形成柵電極；
2)光刻柵介質層和溝道層圖案，連續生長柵介質層，濕法工藝制備二氧化硅層，隨后覆蓋石墨烯薄膜層，在石墨烯薄膜上干法生長一層致密二氧化硅，隨后通過離子注入對頂層二氧化硅進行摻雜，獲得溝道層；
3)生長一層導電薄膜，光刻刻蝕形成源電極和漏電極；
4)生長一層鈍化介質層，光刻刻蝕形成柵電極、源電極和漏電極的引出孔；
5)生長一層金屬薄膜，光刻刻蝕形成金屬電極和互連。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中，柵電極采用金屬鋁Al或者金屬鈦Ti。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中，柵介質層為干法工藝制備的二氧化硅絕緣材料。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟2)中，選擇磷或硼離子進行離子注入，形成N或P型摻雜的二氧化硅。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，源電極和漏電極的導電薄膜采用氧化銦錫ITO或氧化鋅鋁AZO透明導電材料。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜為單層或2～4層石墨烯材料。
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