[發明專利]氮氣反應濺射制備CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器及制作方法

有效

• 申請號: 201610111320.3
• 申請日: 2016-02-29
• 公開（公告）號: CN105698929B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 朱京濤;朱圣明;金長利;朱運平
• 申請（專利權）人: 蘇州宏策光電科技有限公司
• 主分類號: G01J3/26
• 分類號: G01J3/26
• 代理公司: 北京華識知識產權代理有限公司 11530
• 代理人: 趙永強

1.一種CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器，其特征在于：

該單色器包括基底(1)，其上面依次層疊有打底層(2)、CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)及保護層(6)；所述CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)由CoCr膜(3)和Sb膜(4)周期性構成。

2.根據權利要求1所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器，其特征在于，所述的基底(1)的材料可為硅片或玻璃。

3.根據權利要求1所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器，其特征在于，所述的打底層(2)鍍制在基底(1)上，材料是金屬Cr，厚度為5-10納米。

4.根據權利要求1所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器，其特征在于，所述的CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)鍍制在打底層(2)上，所鍍制的第一層是CoCr膜(3)，厚度為1-5nm，最后一層是Sb膜(4)，厚度為1-5nm，周期數為50-100，總厚度為200-400納米。

5.根據權利要求1所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器，其特征在于，所述的保護層(6)鍍制在CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)上，材料為C或B₄C，厚度為2-5納米。

6.一種CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

1)在硅片或玻璃基底(1)上鍍制Cr膜層，作為打底層(2)；

2)在打底層(2)上鍍制CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)；

3)在CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)上鍍制C或B₄C保護層即可得到CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器。

7.根據權利要求6所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器的制作方法，其特征在于，鍍制步驟1)-步驟3)中所述的打底層(2)和CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)均采用磁控濺射方法。

8.根據權利要求6所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器的制作方法，其特征在于，步驟2)中所述的鍍制CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)中CoCr膜(3)和Sb膜(4)的厚度比為1:1。

9.根據權利要求6所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器的制作方法，其特征在于，步驟1)-步驟3)中所述的CoCr/Sb周期多層膜人工晶體(5)和保護層(6)所采用的CoCr靶、Sb靶和B₄C靶的純度均在99.5％以上。

10.根據權利要求6所述的CoCr/Sb極紫外多層膜人工晶體單色器的制作方法，其特征在于，鍍制步驟1)中所述的打底層(2)前本底真空優于8×10^-5帕斯卡。