[發(fā)明專利]背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610110915.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-02-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105590993A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏青竹;王志剛;倪志春;陸俊宇;汪燕玲;易輝;苗鳳秀;連維飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18;H01L31/049 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 孫仿衛(wèi) |
| 地址： | 215542 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 背面 鈍化 太陽(yáng)能電池 制備 方法 | ||
1.一種背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，依次包括如下步驟：
S1、對(duì)硅片的表面進(jìn)行拋光；
S2、在所述硅片的背面鍍鈍化膜；
S3、在所述鈍化膜上鍍氮化硅層；
S4、對(duì)所述硅片的正面制絨形成絨面；
S5、對(duì)所述硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散；
S6、去除所述硅片正面的磷硅玻璃；
S7、在所述硅片正面形成減反膜；
S8、在所述硅片背面形成背電極，在所述硅片正面形成正電極；
S9、燒結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S1中，采用堿溶液對(duì)硅片的表面進(jìn)行拋光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S1中，所述堿溶液為NaOH溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S1中，對(duì)所述硅片的正面和背面進(jìn)行拋光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S6中，采用酸溶液去除所述硅片正面的磷硅玻璃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S6中，所述酸溶液為HF溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：步驟S7中，在所述硅片正面鍍氮化硅減反膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背面鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，步驟S8包括如下步驟：
S81、在所述硅片的背面進(jìn)行激光開槽；
S82、在所述硅片的背面和正面分別印刷金屬形成背電極和正電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
