[發(fā)明專利]一種解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610109837.9
• 申請日: 2016-02-29
• 公開（公告）號: CN105590849B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 吳以贏;侯多源;王科;韓曉剛;陳建維
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，包括：

利用一腔體，所述腔體內設有電子吸附裝置，用于吸附晶圓，所述電子吸附裝置的表面具有密布的微孔以保持一定的粗糙度；

在利用等離子體進行腔體清潔時，使用一隔離片覆蓋在電子吸附裝置表面，用以避免清潔副產物從隔離片與電子吸附裝置表面之間進入并被所述微孔吸附，以使電子吸附裝置表面的粗糙度得以保持；

在腔體清潔后進行HDP PSG制程時，將晶圓吸附在電子吸附裝置表面，利用所述微孔在電子吸附裝置表面與晶圓之間產生的縫隙形成氣體流道，通過控制在晶圓與電子吸附裝置表面的縫隙之間流入氦氣的量，對晶圓進行控溫控制，以使晶圓邊緣與中心之間的溫度保持一致。

2.根據(jù)權利要求1所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，在腔體清潔后，使所述隔離片脫離電子吸附裝置表面，先利用含氧等離子體對電子吸附裝置表面進行處理，以對在腔體清潔時可能吸附在所述微孔中的所述副產物進行去除，然后再進行HDP PSG制程。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，所述腔體清潔的方式包括：直接在腔體內使用高頻發(fā)生器解離NF₃產生F離子等離子體進行清潔；或者使用遠程等離子體系統(tǒng)將解離好的F離子等離子體導入到腔體內進行清潔。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，所述隔離片為AlN材質硅片，其形狀大小與電子吸附裝置表面相對應。

5.根據(jù)權利要求2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，在腔體內使用高頻發(fā)生器產生含氧等離子體。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，還包括在進行HDP PSG制程后，對晶圓表面沉積的PSG薄膜進行CMP。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，所述電子吸附裝置中設有冷卻裝置。

8.根據(jù)權利要求7所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，所述冷卻裝置采用水冷方式。

9.根據(jù)權利要求1或2所述的解決HDP PSG制程厚度均一性持續(xù)跳高的方法，其特征在于，所述隔離片以貼合方式覆蓋在電子吸附裝置表面。