[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法和操作方法

在審

• 申請號: 201610109630.1
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN105742290A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;G11C16/04;G11C16/10
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種非易失性存儲器件，包括：

襯底，所述襯底具有被隔離層限定的有源區，且包括多個第一區域、第二區域以及第三區域，所述多個第一區域沿著一個方向延伸，所述第二區域和所述第三區域交替地設置在所述第一區域之間以與所述第一區域相互連接；

源極選擇線、字線、第一漏極選擇線和第二漏極選擇線，所述源極選擇線、所述字線、所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線設置在所述襯底之上，并且延伸以越過所述第二區域和所述第三區域之間的所述第一區域；

第一接觸部和第二接觸部，所述第一接觸部和所述第二接觸部分別設置在所述第二區域和所述第三區域之上；以及

第一導線和第二導線，所述第一導線和所述第二導線分別與所述第一接觸部和所述第二接觸部連接并且彼此平行地延伸，

其中，所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線中的每個包括隧道電介質層、浮柵、柵間電介質層和控制柵的層疊結構，且

其中，所述第一漏極選擇線在與所述第一區域之中的奇數編號的第一區域的交叉處去除了所述柵間電介質層的部分，所述第二漏極選擇線在與所述第一區域之中的偶數編號的第一區域的交叉處去除了所述柵間電介質層的部分。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，

其中，所述源極選擇線包括隧道電介質層、浮柵、柵間電介質層和控制柵的層疊結構，且所述柵間電介質層的部分被去除，以及

其中，所述字線中的每個包括隧道電介質層、浮柵、柵間電介質層和控制柵的層疊結構。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，

其中，所述第二區域被設置在所述源極選擇線的一側，而所述第三區域被設置在所述漏極選擇線的一側，

其中，在所述第二區域和所述第三區域中分別設置源區和漏區，以及

其中，所述第一導線是位線，而所述第二導線是源極線。

4.一種用于制造非易失性存儲器件的方法，包括：

在襯底中形成隔離層以限定有源區，所述有源區包括沿著一個方向延伸的多個第一區域、以及交替設置在所述第一區域之間以與所述第一區域相互連接的第二區域和第三區域；

在所述襯底之上形成源極選擇線、字線、第一漏極選擇線和第二漏極選擇線，以在跨越所述第一區域的同時在所述第二區域與所述第三區域之間延伸；

形成覆蓋所述源極選擇線、所述字線、所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線的電介質層；

在所述電介質層中形成分別與所述第二區域和所述第三區域電連接的第一接觸部和第二接觸部；以及

在所述電介質層之上形成第一導線和第二導線，以分別與所述第一接觸部和所述第二接觸部連接并且彼此平行地延伸，

其中，所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線中的每個包括隧道電介質層、浮柵、柵間電介質層和控制柵的層疊結構，并且

其中，所述第一漏極選擇線在與所述第一區域之中的奇數編號的第一區域的交叉處去除了所述柵間電介質層的部分，所述第二漏極選擇線在與所述第一區域之中的偶數編號的第一區域的交叉處去除了所述柵間電介質層的部分。

5.如權利要求4所述的方法，其中，形成所述源極選擇線、所述字線、所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線包括：

在所述襯底之上順序地形成所述隧道電介質層、用于所述浮柵的導電層、和所述柵間電介質層；

去除所述柵間電介質層的部分，其中所述柵間電介質層的部分包括所述柵間電介質層的與所述第一區域之中的奇數編號的第一區域交疊的部分、所述柵間電介質層的與所述第一區域之中的偶數編號的第一區域交疊的部分、以及所述柵間電介質層的與所述源極選擇線交疊的部分；以及

在去除所述柵間電介質層的部分的所得結構之上形成用于所述控制柵的導電層。

6.如權利要求4所述的方法，還包括：在形成所述源極選擇線、所述字線、所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線之后，執行源/漏離子注入工藝，以在位于所述源極選擇線的一側的所述第二區域中形成源區，在位于所述第一漏極選擇線和所述第二漏極選擇線的一側的所述第三區域中形成漏區。