[發明專利]一種電子設備有效
| 申請號： | 201610109550.6 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105740572B | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | 肖啟華 | 申請（專利權）人： | 聯想（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 江宇;姚開麗 |
| 地址： | 100085*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電子設備 | ||
1.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括類型相同的第一組件和第二組件；所述第一組件和所述第二組件之間的距離小于第一閾值；
所述第一組件的第一參數和所述第二組件的第二參數不同，以使得所述第一組件與所述第二組件通電后，所述第一組件的第一反映參數與所述第二組件的第二反映參數的差值在預設閾值范圍內，和/或，所述第一反映參數的方向與所述第二反映參數的方向相反；
其中，所述第一參數與所述第二參數為同一類型參數。
2.根據權利要求1所述的電子設備，其特征在于，所述第一組件包括第一子組件和第二子組件，所述第一子組件、所述第二組件和所述第二子組件依次并列排布；所述第一子組件兩端承載的第一電位、所述第二組件兩端承載的第二電位和所述第二子組件兩端承載的第三電位相等。
3.根據權利要求2所述的電子設備，其特征在于，所述第一子組件的第一參數和所述第二子組件的第一參數相等，所述第二組件的第二參數小于所述第一子組件的第一參數和所述第二子組件的第一參數。
4.根據權利要求1至3任意一項所述的電子設備，其特征在于，所述第一組件和所述第二組件為場效應管MOSFET，所述第一參數和所述第二參數為MOSFET漏極與源極導通時漏極與源極之間的電阻。
5.根據權利要求1至3任意一項所述的電子設備，其特征在于，所述第一組件和所述第二組件為電感，所述第一參數和所述第二參數為電感內阻。
6.根據權利要求1所述的電子設備，其特征在于，所述第一反映參數為所述第一組件通電后通過所述第一組件的電流；相應的，所述第二反映參數為所述第二組件通電后通過所述第二組件的電流；則所述第一反映參數與所述第二反映參數的差值為零。
7.根據權利要求1所述的電子設備，其特征在于，所述第一組件和所述第二組件并列排布；所述第一組件和所述第二組件中均包括線圈繞組，且所述第一組件中的線圈繞組的纏繞方向和所述第二組件中的線圈繞組的纏繞方向相同。
8.根據權利要求7所述的電子設備，其特征在于，所述第一組件和所述第二組件為電感；所述第一參數和所述第二參數分別為所述第一組件和所述第二組件的電流；
所述第一組件的第一參數和所述第二組件的第二參數不同為：所述第一組件的電流方向與所述第二組件的電流方向相反。
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