[發明專利]陰影效應分析結構及其制備方法和分析方法

在審

• 申請號: 201610109509.9
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN107134416A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種陰影效應分析結構的制備方法，其特征在于，包括：

在硅襯底的正側面進行研磨處理，以在所述硅襯底的正側面形成凹形面；

在所述凹形面上形成至少兩個柵極結構；

在形成所述柵極結構的凹形面上形成光刻膠涂層；

根據預設版圖對所述光刻膠進行圖形化處理，以形成任一個所述柵極結構的陰影效應分析結構。

2.根據權利要求1所述的陰影效應分析結構的制備方法，其特征在于，在所述凹形面上形成至少兩個柵極結構，具體包括以下步驟：

以溫度范圍為900～1000℃的熱氧化工藝在所述凹形面上形成柵氧化層；

以溫度范圍為500～700℃的化學氣相淀積工藝形成多晶硅層；

對所述多晶硅層和所述柵氧化層進行圖形化處理，以形成所述柵極結構。

3.根據權利要求1或2所述的陰影效應分析結構的制備方法，其特征在于，在形成所述柵極結構的凹形面上形成光刻膠涂層，具體包括以下步驟：

控制涂膠機的噴頭對準所述凹形面的法向軸；

控制所述噴頭向所述凹形面噴涂光刻膠；

控制用于固定所述硅襯底的底座以指定轉速旋轉。

4.根據權利要求3所述的陰影效應分析結構的制備方法，其特征在于，所述指定轉速的速率范圍為0～6000RPM。

5.一種陰影效應分析結構，其特征在于，采用如權利要求1至4中任一項所述的陰影效應分析結構的制備方法制備而成。

6.根據權利要求5所述的陰影效應分析結構，其特征在于，所述陰影效應分析結構粘附于硅襯底的凹形面上，同時，至少兩個所述陰影效應分析結構的高度不相同。

7.一種陰影效應的分析方法，適用于如權利要求5或6所述的陰影效應分析結構，其特征在于，所述陰影效應的分析方法包括：

在待分析的硅襯底上形成至少兩個硅柵結構和任一個所述柵極結構的陰影效應分析結構后，以指定注入角度對所述硅襯底的注入預留區域進行離子注入；

在完成所述離子注入后，對所述硅襯底進行退火處理，所述退火處理的溫度范圍為800～1200℃，所述退火處理的時間范圍為0～5min，

其中，所述指定注入角度為所述柵極結構的鉛垂線與所述離子注入的軌跡線之間的角度，以所述鉛垂線為起點時，所述軌跡線與所述側墻存在于所述鉛垂線的對側。

8.根據權利要求7所述的陰影效應的分析方法，其特征在于，所述指定注入角度的范圍為3～30°。

9.根據權利要求8所述的陰影效應的分析方法，其特征在于，所述指定注入角度的范圍為7°。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的陰影效應的分析方法，其特征在于，還包括：

在完成所述退火處理后，檢測所述預留區域的閾值電壓和漏電流；

在確定所述閾值電壓屬于預設閾值電壓范圍，且所述漏電流屬于預設漏電流范圍時，確定所述陰影效應在可容忍范圍。