[發(fā)明專利]光電半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610109502.7
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN107134521A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設計）人: 陳奕璇;徐世昌
• 申請（專利權）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/50
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,鄭泰強

技術領域

本發(fā)明涉及一種光電半導體裝置，特別涉及一種具有高廣色域、高亮度及高信賴性的光電半導體裝置。

背景技術

白光LED(light emitting diode；LED)已被廣泛用于顯示器的背光光源。一般而言，用于背光光源的白光LED必須配合濾色片(color filter)的使用，方可符合在廣色域(high NTSC)方面的要求。然而，在此情形下，現(xiàn)今作為背光源的白光LED的NTSC值大約為72％，且若欲以傳統(tǒng)商用螢光粉來改善此NTSC值，在提升NTSC值的同時卻會對白光LED的亮度有不利的影響。舉例來說，利用黃色氮化物與620納米的紅色氮化物的螢光粉組合所獲致的NTSC值約為72％，且亮度為100％，而利用綠色β-SiAlON螢光粉取代黃色氮化物同時利用660納米的紅色氮化物取代620納米的紅色氮化物的螢光粉組合雖可將NTSC提升至約85％，亮度卻驟減至約65％。另外，使用不同材料的螢光粉等波長轉換物質來改良白光LED的光學特性的同時，亦存在有令光電半導體裝置整體的信賴性降低的問題。

因此，如何在提升光電半導體裝置的NTSC值的同時確保亮度及信賴性的品質，將是相關業(yè)界亟待努力的課題。

發(fā)明內容

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用有別于現(xiàn)有螢光粉組合的波長轉換材料于光電半導體裝置中，所述波長轉換材料可受藍色發(fā)光二極管芯片激發(fā)，且包含具有特定放光光譜半高寬的第一波長轉換物質及第二波長轉換物質。另外，本發(fā)明同時應用封裝硬膠以及保護層來確保光電半導體裝置的信賴性。

具體而言，本發(fā)明其中一實施例提供一種光電半導體裝置，其包含一基板、設置于所述基板上的至少一發(fā)光二極管芯片、設置于至少一所述發(fā)光二 極管芯片的出光路徑上的一波長轉換材料。一具有高于D50的肖氏硬度或小于10g/m²·24hrs的透濕性的封裝膠包覆于所述發(fā)光二極管芯片。一保護層設置于所述基板及所述封裝膠的至少一者上。所述波長轉換材料包含主峰波長在綠色光譜范圍內的一第一波長轉換物質以及主峰波長在紅色光譜范圍內的一第二波長轉換物質，其中所述第一波長轉換物質及所述第二波長轉換物質為具有≦50納米的放射光譜半高寬的螢光材料。

本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明實施例所提供的光電半導體裝置通過具有特定放光光譜半高寬的第一波長轉換物質及第二波長轉換物質，可在提升光電半導體裝置NTSC值的同時維持優(yōu)異的亮度。另外，通過在發(fā)光二極管芯片上包覆硬質、具抗透濕特性的封裝膠以及在基板及封裝膠的至少一者上設置保護層，還可進一步確保光電半導體裝置的信賴性。具體而言，本發(fā)明實施例所提供的光電半導體裝置具有大于85％的NTSC值、高于70％的亮度，且在1000小時后仍保有高于70％的剩余光強度(remain Lm)。

為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而說明書附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制者。

附圖說明

圖1A為本發(fā)明其中一實施例所提供的光電半導體裝置的示意圖；

圖1B為本發(fā)明其中一實施例所提供的光電半導體裝置的另一示意圖；

圖2為本發(fā)明另外一實施例所提供的光電半導體裝置的示意圖；

圖3A為本發(fā)明再一實施例所提供的光電半導體裝置的示意圖；

圖3B為本發(fā)明再一實施例所提供的光電半導體裝置的另一示意圖；

圖4A為本發(fā)明另外再一實施例所提供的光電半導體裝置的示意圖；

圖4B為本發(fā)明另外再一實施例所提供的光電半導體裝置的另一示意圖；

圖5A與5B分別為本發(fā)明實施例所提供的光電半導體裝置所使用的第一波長轉換物質的激發(fā)光譜與放射光譜；

圖6A與6B分別為本發(fā)明實施例所提供的光電半導體裝置所使用的第二波長轉換物質的激發(fā)光譜與放射光譜；以及

圖7至9分別為本發(fā)明實施例所提供的光電半導體裝置在使用第一種波 長轉換材料、第二種波長轉換材料或第三種波長轉換材料的情況下所測得的放射光譜。

其中，附圖標記說明如下：

光電半導體裝置P

基板1

發(fā)光二極管芯片2

反射杯3

波長轉換材料4

封裝膠5

保護層6

具體實施方式