[發明專利]晶體管的離子注入方法和晶體管

有效

• 申請號: 201610109069.7
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN107134409B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 馬萬里;高振杰
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

1.一種晶體管的離子注入方法，其特征在于，包括：

在形成柵氧化層的襯底上形成待制備的晶體管的柵極結構，所述柵極結構的兩側區域分別為源極預留區域和漏極預留區域；

在所述柵極結構的一側側壁上形成側墻；

在形成所述側墻后，以指定注入角度對所述源極預留區域和所述漏極預留區域進行離子注入，

其中，所述指定注入角度為所述柵極結構的鉛垂線與所述離子注入的軌跡線之間的角度，所述軌跡線與所述側墻分布于所述鉛垂線的對側；

所述指定注入角度的范圍為3～30°。

2.根據權利要求1所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，所述指定注入角度為7°。

3.根據權利要求2所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，在形成柵氧化層的襯底上形成待制備的晶體管的柵極結構前，還包括：

以溫度范圍為900～1000℃的熱氧化工藝在所述襯底上形成氧化層；

以溫度范圍為500～700℃的化學氣相淀積工藝形成多晶硅層；

對所述多晶硅層和所述氧化層進行光刻和刻蝕，以形成所述柵極結構和所述柵氧化層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，在所述柵極結構的一側側壁上形成側墻，具體包括以下步驟：

以溫度范圍為600～900℃的化學氣相淀積工藝在所述柵極結構上形成氮化硅層；

對所述氮化硅層進行光刻和刻蝕處理，以形成所述側墻。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，在所述柵極結構的一側側壁上形成側墻，具體還包括以下步驟：

在形成所述柵極結構的襯底上旋涂光刻膠，并對所述光刻膠依次進行曝光和顯影處理，僅保留所述柵極結構的一側側壁的光刻膠，以形成所述側墻。

6.根據權利要求5所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，所述離子注入的離子為硼離子，劑量范圍為1.0E12～1.0E16/cm²，能量范圍為40～200KeV。

7.根據權利要求5所述的晶體管的離子注入方法，其特征在于，所述離子注入的離子為磷離子或砷離子，劑量范圍為1.0E12～1.0E16/cm²，能量范圍為40～200KeV。

8.一種晶體管，其特征在于，采用如權利要求1至7中任一項所述的晶體管的離子注入方法制備而成。