[發明專利]改善閃存產品多晶硅表面缺陷檢測靈敏度的方法及結構有效
| 申請號： | 201610107730.0 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105655270B | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發明（設計）人： | 何理;許向輝;陳廣龍;葉林 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/31;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 閃存 產品 多晶 表面 缺陷 檢測 靈敏度 方法 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善閃存產品多晶硅表面缺陷檢測靈敏度的方法，其特征在于，包括：
在多晶硅生長之后再在其表面鋪設BARC表面層；
缺陷檢測程式設定焦距使其對所述BARC表面層有最好的缺陷分辨效果；
采用強入射光對多晶硅表面進行檢測，并針對信噪比設定較小的閥值；
其中，缺陷檢測程式設定焦距使其對所述BARC表面層有最好的缺陷分辨效果，包括：缺陷檢測程式根據所述BARC表面層的厚度調整焦距使多晶硅表面成像清晰。
2.如權利要求1所述的改善閃存產品多晶硅表面缺陷檢測靈敏度的方法，其特征在于，所述BARC表面層的厚度為200～400埃。
3.如權利要求1至2任一項所述的改善閃存產品多晶硅表面缺陷檢測靈敏度的方法，其特征在于，采用強入射光對多晶硅表面進行檢測，并針對信噪比設定較小的閥值之后，還包括：
完成缺陷檢測后，去除多晶硅表面的BARC表面層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
