[發(fā)明專(zhuān)利]鎳金屬硅化物的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610107726.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-02-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105575790A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖天金;邱裕明 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/285 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/285 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬硅 制備 方法 | ||
1.一種鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:對(duì)暴露的硅襯底表面進(jìn)行預(yù)清洗,除去自然氧化物,在其上沉積鎳或 鎳合金;
S2:向工藝腔體中通入含有氫氣的氣體,去除工藝腔體中的氧氣,接著使 用氮?dú)鈨艋に嚽惑w中殘留的含有氫氣的氣體,然后在沉積鎳或鎳合金的硅襯 底進(jìn)入工藝腔體之后,通入含有氫氣的氣體進(jìn)行第一次退火,使鎳或鎳合金的 至少一部分與硅反應(yīng),形成鎳金屬硅化物的混合物;
S3:移除未反應(yīng)的鎳或鎳合金;
S4:進(jìn)行第二次退火,使所述鎳金屬硅化物的混合物轉(zhuǎn)化為鎳金屬硅化物。
2.如權(quán)利要求1所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述第一 次退火的溫度為220℃~270℃,所述第一次退火的時(shí)間為30s~150s。
3.如權(quán)利要求1所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述第一 次退火通入的氣體為氫氣。
4.如權(quán)利要求1所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述第一 次退火通入的氣體為氫氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w。
5.如權(quán)利要求1所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述第二 次退火采用閃光燈進(jìn)行退火。
6.如權(quán)利要求5所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述第二 次退火的溫度為800℃~900℃,所述第二次退火的時(shí)間為0.003s~0.05s。
7.如權(quán)利要求1所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于,所述鎳金 屬硅化物的混合物包括硅化二鎳與硅化鎳,所述鎳金屬硅化物為硅化鎳。
8.如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于, 所述預(yù)清洗除去自然氧化物的步驟通過(guò)利用氬等離子體濺射移除硅襯底表面層 來(lái)完成。
9.如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的鎳金屬硅化物的制備方法,其特征在于, 所述鎳或鎳合金通過(guò)物理氣相沉積法沉積在清洗后的硅襯底表面上。
10.如權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的鎳金屬硅化物的制備方法,鎳合金是 由鎳與包括鎢、鉭、鋯、鈦、鉿、鉑、鈀、釩、鈮、鈷的集合中的一種或多種 金屬形成的合金。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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