[發明專利]一種控制方法、射頻功率分配器以及ICP設備

在審

• 申請號: 201610107697.1
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN107134625A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 羅偉義;龐曉貝;韓立旺
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16;H04B1/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及半導體器件制作技術領域，更具體的說，涉及一種控制方法、射頻功率分配器以及ICP設備。

背景技術

隨著微電子機械器件和微電子機械系統(MicroElectromechanical System，簡稱MEMS)被越來越廣泛的應用于汽車和電費電子等領域，硅通孔(Through Silicon Via，簡稱TSV)刻蝕技術在未來封裝領域具有廣闊前景，深硅刻蝕工藝逐漸成為MEMS制造領域和TSV技術中最炙手可熱的工藝之一。

電感耦合等離子體(ICP)設備是一種MEMS制造領域和TSV技術中的常用設備，ICP設備通過磁場產生等離子體，所述等離子體用于轟擊硅晶圓，對硅晶圓進行刻蝕。如何調節磁場是電感耦合等離子體設備領域亟待解決的問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供了一種控制方法、射頻功率分配器以及ICP設備，通過調節所述內線圈相對于所述外線圈的電流比可以調節射頻功率分配器的磁場。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種控制方法，用于射頻功率分配器，該射頻功率分配器包括：外線圈、內線圈、第一電容、第二電容、第三電容以及第四電容；所述外線圈的一端通過所述第一電容連接第一節點，其另一端通過所述第三電容連接第二節點，所述第一節點用于連接射頻匹配電路，并通過射頻匹配電路連接到射頻電源，所述第二節點用于連接接地端；所述內線圈的一端通過所述第二電容連接所述第一節點，其另一端通過所述第四電容連接所述第二節點；

該控制方法包括：

獲取所述內線圈相對于所述外線圈的電流比的期望值；

按照預設函數，調節所述第二電容的電容值，使得所述射頻功率分配器中，所述內線圈相對于所述外線圈的電流比處于所述期望值；

其中，所述預設函數的計算方法包括：

在所述射頻功率分配器處于平衡狀態時，獲取所述第一電容的平衡電容值C1b以及所述第二電容的平衡電容值C2b；

在所述第一電容為C1b時，獲取所述電流比的第一線性函數Ii1，Ii1＝A1*C2+B1，A1以及B1為常數；

在所述第一電容為150％*C1b時，獲取所述電流比的第二線性函數Ii2，Ii2＝A2*C2+B2，A2以及B2為常數；

在所述第一電容為50％*C1b時，獲取所述電流比的第三線性函數Ii3，Ii3＝A3*C2+B3，A3以及B3為常數；

根據所述第一線性函數、所述第二線性函數以及所述第三線性函數獲取所述預設函數，定義所述預設函數為I，則I＝α*Ii1+γ*Ii2+β*Ii3，α、γ以及β為常數。

優選的，在上述控制方法中，所述獲取所述電流比的第一線性函數Ii1包括：

在所述第一電容為C1b，調節所述第二電容，獲取不同的第二電容以及各個第二電容對應的所述電流比；

根據所述第二電容以及所述第二電容對應的所述電流比，進行線性擬合獲取所述第一線性函數Ii1。

優選的，在上述控制方法中，所述獲取所述電流比的第二線性函數Ii2包括：

在所述第一電容為150％*C1b時，調節所述第二電容，獲取不同的第二電容以及各個第二電容對應的所述電流比；

根據所述第二電容以及所述第二電容對應的所述電流比，進行線性擬合獲取所述第二線性函數Ii2。

優選的，在上述控制方法中，所述獲取所述電流比的第三線性函數Ii3包括：

在所述第一電容為50％*C1b時，調節所述第二電容的電容值，獲取不同的第二電容以及各個第二電容對應的所述電流比；

根據所述第二電容以及各個所述第二電容對應的所述電流比，進行線性擬合獲取所述第三線性函數Ii3。

優選的，在上述控制方法中，所述第二電容的變化量不超過所述第二電容的平衡值的60％。

本發明還提供了一種射頻功率分配器，該射頻功率分配器包括：外線圈、內線圈、第一電容、第二電容、第三電容以及第四電容；

所述外線圈的一端通過所述第一電容連接第一節點，其另一端通過所述第三電容連接第二節點，所述第一節點用于連接射頻匹配電路，并通過射頻匹配電路連接到射頻電源，所述第二節點用于連接接地端；

所述內線圈的一端通過所述第二電容連接所述第一節點，其另一端通過所述第四電容連接所述第二節點；