[發明專利]具有不均勻柵極結構的FinFET器件結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201610107591.1 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN106169501B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 張家瑋;張哲誠;巫柏奇;趙益承 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 不均勻 柵極 結構 finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【說明書】：
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