[發明專利]一種硅上直接生長高摻雜釔鐵石榴石薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201610107438.9 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105714379B | 公開（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發明（設計）人： | 畢磊;張燕;王闖堂;鄧龍江 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B23/00 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 張楊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 釔鐵石榴石薄膜 薄膜沉積 稀土摻雜 直接生長 高摻雜 制備 磁性氧化物 磁光性能 激光能量 生長過程 生長 法拉第 波長 光通信 硅基 旋光 薄膜 氣壓 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅上直接生長高摻雜釔鐵石榴石薄膜的制備方法，具體包括以下步驟：
步驟1：采用脈沖激光沉積PLD技術和快速退火技術，在硅基底上首先沉積一層30至60納米的YIG薄膜，并且經快速退火得到結晶的YIG薄膜作為籽晶層；
步驟2：將步驟1制得的多晶YIG薄膜放入真空腔內，控制沉積氣壓為1-10mTorr，升溫至400℃到650℃后，沉積Ce:YIG薄膜，脈沖激光沉積時能量密度為大于2.5J/cm2小于等于3.2J/cm2。
2.如權利要求1所述硅上直接生長高摻雜釔鐵石榴石薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟1具體為，將樣品在PLD腔體內升溫至400℃，通入氧氣，保持氧壓為5mTorr。
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