[發明專利]多晶硅制備之立式爐管及其制備方法在審
| 申請號： | 201610107390.1 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105543955A | 公開（公告）日： | 2016-05-04 |
| 發明（設計）人： | 江潤峰;孫天拓;陸葉濤 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/14 | 分類號： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 制備 立式 爐管 及其 方法 | ||
1.一種多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐 管，包括：
殼體，內設多晶硅制備之立式爐管的各功能部件；
外石英管和內石英管，所述外石英管和所述內石英管之間形成氣體通路；
具有硅片的晶舟，所述晶舟上設置硅片，所述晶舟并承載在位于所述殼 體內之底部的基座上；
間隔獨立設置的第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路，所述第 一進氣管路、所述第二進氣管路，以及所述第三進氣管路之出氣口分別位于 所述晶舟的不同高度處；
排氣管路，設置在所述殼體之異于所述第一進氣管路、第二進氣管路、 第三進氣管路的一側之底部。
2.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述第一 進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路均為多晶硅制備之反應特氣管路。
3.如權利要求2所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述反應 特氣管路內流通之反應特氣為硅烷氣體。
4.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶 硅制備之立式爐管內的溫度為550～630℃。
5.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶 硅制備之立式爐管內的工藝氣壓為0.2～1Torr。
6.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述第一 進氣管路之出氣口位于所述晶舟之底部基座高度處，所述第二進氣管路之出 氣口位于所述晶舟之三分一的高度處，所述第三進氣管路之出氣口位于所述 晶舟之三分二的高度處。
7.一種如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法， 其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法，包括：
執行步驟S1：將硅片設置在位于所述立式爐管內的晶舟上；
執行步驟S2：在保持所述第一進氣管路之反應特氣流量不變時，通過調 整所述第二進氣管路和所述第三進氣管路之反應特氣流量，進而改變所述晶 舟之不同位置處的反應特氣濃度。
8.如權利要求7所述多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法，其特征 在于，所述晶舟之不同位置處的反應特氣濃度均勻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610107390.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種低成本制備氮化鎵晶體的方法
- 下一篇：一種帶有載氣加熱裝置的多晶鑄錠爐
