[發明專利]一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法和設備有效
| 申請號: | 201610105819.3 | 申請日: | 2016-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN105755443B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 廖斌;歐陽曉平;羅軍;張旭;吳先映;王宇東 | 申請(專利權)人: | 北京師范大學 |
| 主分類號: | C23C14/48 | 分類號: | C23C14/48;C23C14/32;C23C14/18;C23C14/06 |
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| 地址: | 100875 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 航天 繼電器 推動 部件 壽命 方法 設備 | ||
1.一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法,其特征在于,包括:
利用低能離子束技術在推動桿部件推動球表面沉積高硬度、高絕緣強度以及低摩擦系數的DLC膜層,制備膜層的方法包括:
(a)采用金屬真空蒸汽離子源(MEVVA)注入方法,在推動球基底表面注入金屬元素,形成金屬″釘扎層″;
(b)在金屬″釘扎層″之上,采用磁過濾陰極真空弧(FCVA)方法,沉積得到第一層用于釋放內應力的薄膜金屬過渡層;
(c)在所述金屬過渡層之上,采用磁過濾陰極真空弧(FCVA)方法,沉積得到DLC膜。
2.根據權利要求1一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法,其特征在于:所述基底為玻璃推動球。
3.根據權利要求1一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法,其特征在于:所述金屬元素為Ti或者Ni,其注入電壓為4~20kV,束流強度為1~10mA,注入劑量為1×1015~1×1017/cm2,注入深度為70~220nm。
4.根據權利要求1一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法,其特征在于,所述金屬過渡層的厚度為10-500nm,所述DLC膜總厚度在0.1-5μm。
5.根據權利要求1一種提高航天繼電器中推動桿部件壽命的方法,其特征在于,相關沉積的設備包括:
(a)注入裝置,配置為利用金屬真空蒸汽離子源(MEVVA)系統,利用所述MEVVA離子源向所述基底表面注入金屬Ti或Ni元素,形成金屬″釘扎層″;其中,Ti或者Ni的注入電壓為4~20kV,束流強度為1~10mA,注入劑量為1×1015~1×1017/cm2,注入深度為70~220nm;
(b)沉積裝置,配置為磁過濾陰極真空弧(FCVA)系統,利用雙管180度與單管90度磁過濾沉積方式,所述沉積裝置包括:
第一沉積裝置,用于利用所述90度彎管FCVA系統,在所述金屬″釘扎層″上,磁過濾沉積出金屬薄膜層;其中,所述金屬薄膜層的金屬元素為Ti或Ni,厚度為10~500nm;
第二沉積裝置,用于利用180度雙管FCVA系統,在金屬薄膜層表面,磁過濾沉積得到DLC膜;其中,所述DLC膜層的厚度為0.1~5μm。
6.一種高耐磨、長壽命的DLC膜層,其特征為采用權利要求1-5任一項所述方法制備得到。
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