[發(fā)明專利]一種多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610105495.3
• 申請日: 2016-02-26
• 公開（公告）號: CN105742493B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設計）人: 陳劍輝;麥耀華;沈艷嬌;陳兵兵;許穎;代秀紅;劉保亭
• 申請（專利權）人: 河北大學
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 石家莊國域?qū)＠虡耸聞账邢薰?3112
• 代理人: 胡素梅,白海靜

1.一種多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池，其特征是，包括玻璃襯底，在所述玻璃襯底上制有透明導電薄膜，在所述透明導電薄膜上生長有多鐵氧化物薄膜，生長所述多鐵氧化物薄膜時通過掩膜版在所述透明導電薄膜上預留有極化電極區(qū)域；在所述多鐵氧化物薄膜上制有叉指型結構電極，所述叉指型結構電極包括交叉排列的第一電極和第二電極；在所述透明導電薄膜的所述極化電極區(qū)域上制有極化電極；通過所述極化電極和所述第一電極可實現(xiàn)對所述多鐵氧化物薄膜上與第一電極對應的第一指區(qū)的極化，通過所述極化電極和所述第二電極可實現(xiàn)對所述多鐵氧化物薄膜上與第二電極對應的第二指區(qū)的極化，且所述第一指區(qū)和所述第二指區(qū)被極化后的極化場方向相反。

2.根據(jù)權利要求1所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池，其特征是，所述透明導電薄膜為In₂O₃:F、In₂O₃:SnO₂、In₂O₃:WO₃、In₂O₃:MoO₃、ZnO:Al和ZnO:B中任意一種導電薄膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池，其特征是，所述多鐵氧化物薄膜為鐵酸鉍薄膜或摻雜的鐵酸鉍薄膜。

4.根據(jù)權利要求3所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池，其特征是，所述摻雜的鐵酸鉍薄膜中所摻的雜質(zhì)為Cr和Mn中的一種或為La和Ni兩種。

5.根據(jù)權利要求1所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池，其特征是，所述極化電極、所述第一電極和所述第二電極為Pt、Au、Ag、Al、Cu、Mo、Ni或這些金屬中的兩種以上的合金電極。

6.一種多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池的制備方法，其特征是，包括如下步驟：

a、選取玻璃襯底，并進行清洗；

b、采用物理氣相沉積法在所述玻璃襯底上制備透明導電薄膜；

c、借助于掩膜版遮擋所述透明導電薄膜上的部分區(qū)域，采用物理氣相沉積法或溶膠-凝膠法在所述透明導電薄膜上未遮擋的區(qū)域生長多鐵氧化物薄膜；所述透明導電薄膜上由掩膜版所遮擋的區(qū)域為預留的極化電極區(qū)域；

d、在所述多鐵氧化物薄膜上制備叉指型結構電極，所述叉指型結構電極包括交叉排列的第一電極和第二電極；

e、在所述透明導電薄膜的極化電極區(qū)域上制備極化電極；

f、通過所述極化電極和所述第一電極對所述多鐵氧化物薄膜上與第一電極對應的第一指區(qū)進行極化，通過所述極化電極和所述第二電極對所述多鐵氧化物薄膜上與第二電極對應的第二指區(qū)進行極化，且所述第一指區(qū)極化后的極化場方向與所述第二指區(qū)極化后的極化場方向相反。

7.根據(jù)權利要求6所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池的制備方法，其特征是，所述透明導電薄膜為In₂O₃:F、In₂O₃:SnO₂、In₂O₃:WO₃、In₂O₃:MoO₃、ZnO:Al或 ZnO:B導電薄膜。

8.根據(jù)權利要求6所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池的制備方法，其特征是，所述多鐵氧化物薄膜為鐵酸鉍薄膜或摻雜的鐵酸鉍薄膜。

9.根據(jù)權利要求8所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池的制備方法，其特征是，所述摻雜的鐵酸鉍薄膜中所摻的雜質(zhì)為Cr和Mn中的一種或為La和Ni兩種。

10.根據(jù)權利要求6所述的多鐵氧化物叉指背接觸太陽能電池的制備方法，其特征是，所述極化電極、所述第一電極和所述第二電極為Pt、Au、Ag、Al、Cu、Mo、Ni或這些金屬中的兩種以上的合金電極。