[發(fā)明專(zhuān)利]一種電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610105388.0
• 申請(qǐng)日: 2016-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105655974B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡鵬;湯玉輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽江淮汽車(chē)集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02H7/00
• 分類(lèi)號(hào): H02H7/00;H02P29/00;H02H5/12
• 代理公司: 北京維澳專(zhuān)利代理有限公司11252
• 代理人: 王立民,江懷勤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電機(jī)控制器及電機(jī)安全系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)控制方法。

背景技術(shù)

在低碳經(jīng)濟(jì)成為時(shí)代主流的背景下，電動(dòng)汽車(chē)成為當(dāng)前汽車(chē)發(fā)展的主要方向。隨著電動(dòng)汽車(chē)的不斷向前發(fā)展，大功率的電機(jī)控制器相繼問(wèn)世，目前新能源汽車(chē)使用的電機(jī)控制器輸入為高壓輸入系統(tǒng)，要使電機(jī)控制器系統(tǒng)正常工作，母線電壓必須維持在一定范圍內(nèi)；若是母線電壓過(guò)高，超出IGBG((Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣三雙極型功率管)的耐壓能力，就會(huì)損壞IGBT；若母線電壓過(guò)低，MOSFET管會(huì)退出飽和區(qū)而進(jìn)入放大區(qū)，MOSFET管發(fā)熱量增加而造成熱損壞，目前使用的母線電壓主一般會(huì)高于300V。

高壓輸入系統(tǒng)在維修及不正規(guī)操作的情況下，直流高壓對(duì)人體的傷害很大，甚至危及生命，為了防止誤操作導(dǎo)致的高壓對(duì)人體的傷害，需設(shè)計(jì)一套開(kāi)蓋保護(hù)系統(tǒng)，即需要打開(kāi)電機(jī)控制器的蓋板時(shí)，能夠快速將母線電壓降至安全電壓范圍內(nèi)，以防止觸電的發(fā)生，達(dá)到保護(hù)人員與器件的作用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)控制方法，通過(guò)本控制方法以實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制器開(kāi)蓋時(shí)的母線及時(shí)放電，保護(hù)維修人員的安全。

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)控制方法，主控芯片的A/D接口接收開(kāi)蓋保護(hù)檢測(cè)電路輸入的開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)；

所述主控芯片判斷所述開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)為高電平或低電平；

若所述開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)為高電平，判斷為電機(jī)控制器沒(méi)有開(kāi)蓋操作；電機(jī)控制器系統(tǒng)正常工作；

若所述開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)為低電平，判斷為電機(jī)控制器開(kāi)蓋操作；所述主控芯片輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入給主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路的控制端，由所述主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路執(zhí)行母線放電。

所述開(kāi)蓋保護(hù)檢測(cè)電路中，在所述電機(jī)控制器未開(kāi)蓋時(shí)，設(shè)置于電機(jī)控制器蓋板上的第一門(mén)開(kāi)關(guān)與設(shè)置于所述電機(jī)控制器盒體上的第二門(mén)開(kāi)關(guān)接通，此時(shí)，所述電機(jī)控制器蓋板與所述電機(jī)控制器盒體之間的電壓信號(hào)通過(guò)第一光藕隔離芯片轉(zhuǎn)換后，所述第一光藕隔離芯片以高電平輸出開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)；

在所述電機(jī)控制器開(kāi)蓋后，所述第一門(mén)開(kāi)關(guān)與所述第二門(mén)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，此時(shí)，所述電機(jī)控制器蓋板與所述電機(jī)控制器盒體之間的電壓信號(hào)不通過(guò)所述第一光藕隔離芯片轉(zhuǎn)換，所述第一光藕隔離芯片以低電平輸出開(kāi)蓋檢測(cè)信號(hào)。

所述開(kāi)蓋保護(hù)檢測(cè)電路包括第一光藕隔離芯片、第一門(mén)開(kāi)關(guān)、第二門(mén)開(kāi)關(guān)；所述第一門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述電機(jī)控制器的蓋板上；所述第一光藕隔離芯片的第一接線腳與電源正極連接，所述第一門(mén)開(kāi)關(guān)與所述第一光藕隔離芯片的第二接線腳連接；

所述第二門(mén)開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述電機(jī)控制器內(nèi)，所述第二門(mén)開(kāi)關(guān)分別與所述第一門(mén)開(kāi)關(guān)及電源負(fù)極連接；

所述第一光藕隔離芯片的第三接線腳接地；所述第一光藕隔離芯片的第四接線腳與所述主控芯片的A/D接口連接。

所述主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路中，接收到所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)后，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)第二光藕隔離芯片導(dǎo)通，電源電壓通過(guò)所述第二光藕隔離芯片導(dǎo)通MOS管的柵極，與所述MOS管源極連接的母線放電。

所述主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路包括第二光藕隔離芯片、電源、MOS管、繼電器；所述電機(jī)控制器的控制電源與所述第二光藕隔離芯片的第一接線腳連接；所述第二光藕隔離芯片的第二接線腳與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接；所述第二光藕隔離芯片的第三接線腳與所述MOS管的柵極連接；所述電源與所述第二光藕隔離芯片的第四接線腳連接；

所述MOS管的源極與所述繼電器的負(fù)極連接；所述MOS管的射極及所述繼電器的正極均接地。

在所述第二光藕隔離芯片的第三接線腳與所述MOS管的柵極之間設(shè)置有柵極電阻。

在所述繼電器的正極與所述繼電器的負(fù)極之間設(shè)置有隔離二極管。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明的電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)方法，通過(guò)第一光藕隔離芯片，準(zhǔn)確判斷出當(dāng)前電路的通斷狀態(tài)，識(shí)別出是否進(jìn)行電機(jī)控制器開(kāi)蓋動(dòng)作，并對(duì)主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)第二光藕隔離芯片，將母線與控制電路隔離，保護(hù)維修人員的安全。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明電機(jī)控制器開(kāi)蓋保護(hù)控制邏輯圖；

圖2為本發(fā)明開(kāi)蓋保護(hù)檢測(cè)電路原理圖；

圖3為本發(fā)明主動(dòng)放電驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，以下的實(shí)施例僅是示例性的，僅能用來(lái)解釋和說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能解釋為是對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。