[發(fā)明專利]一種體聲波器件及集成結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610105113.7 | 申請日： | 2016-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN105703736B | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 祝明國;李平;孫成龍;王小茹;彭波華;胡念楚;賈斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 銳迪科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/17 | 分類號： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 殷曉雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 聲波 器件 集成 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種體聲波器件，其特征是，采用包含絕緣層的襯底，所述包含絕緣層的襯底的兩個側(cè)面均為半導體材料，中間具有絕緣層；在絕緣層一側(cè)的半導體材料中具有空腔，在該層半導體材料的空腔之上依次具有底電極、壓電薄膜和頂電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波器件，其特征是，所述包含絕緣層的襯底正面或背面朝上，在絕緣層上方的半導體材料上表面具有空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波器件，其特征是，所述體聲波器件包括薄膜體聲波諧振器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波器件，其特征是，所述包含絕緣層的襯底包括絕緣體上硅、絕緣體上應(yīng)變硅、絕緣體上鍺。
5.一種包含體聲波器件的集成結(jié)構(gòu)，其特征是，包括體聲波器件和一個或多個其他射頻器件，采用包含絕緣層的襯底，所述包含絕緣層的襯底的兩個側(cè)面均為半導體材料，中間具有絕緣層；在絕緣層一側(cè)的半導體材料中具有空腔，在該層半導體材料的空腔之上依次具有底電極、壓電薄膜和頂電極作為體聲波器件；
其他射頻器件或者與體聲波器件制作在同一層半導體材料上，或者與體聲波器件分別制作在所述包含絕緣層的襯底的兩側(cè)半導體材料上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含體聲波器件的集成結(jié)構(gòu)，其特征是，所述包含絕緣層的襯底正面或背面朝上，在絕緣層上方的半導體材料上表面具有空腔。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含體聲波器件的集成結(jié)構(gòu)，其特征是，所述體聲波器件包括薄膜體聲波諧振器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含體聲波器件的集成結(jié)構(gòu)，其特征是，所述包含絕緣層的襯底包括絕緣體上硅、絕緣體上應(yīng)變硅、絕緣體上鍺。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含體聲波器件的集成結(jié)構(gòu)，其特征是，所述其他射頻器件包括射頻功率放大器、射頻開關(guān)。
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