[發明專利]用于制造有機電致發光顯示器的方法有效
| 申請號: | 201610105082.5 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN105633123B | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 白承漢;吳永茂;李貞源 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 有機 電致發光 顯示器 方法 | ||
公開一種用于制造有機電致發光顯示器的方法,所述方法包括:在包括第一像素區域的基板上形成第一塑料層;將所述第一塑料層圖案化以在所述第一像素區域中形成第一開口;在具有所述第一開口的第一塑料層上形成第一有機發光層;以及從所述基板去除所述第一塑料層,以在所述第一開口中形成第一有機發光圖案。其中所述基板包括第二和第三像素區域,所述方法還包括:在形成所述第一有機發光層之后,將所述第一有機發光層和所述第一塑料層圖案化,以在所述第二像素區域中形成第二開口;在具有所述第二開口的第一有機發光層上形成第二有機發光層;將所述第二有機發光層、第一有機發光層和第一塑料層圖案化,以在所述第三像素區域中形成第三開口。
本申請是申請號為201310522365.6、申請日為2013年10月29日、發明名稱為“用于制造有機電致發光顯示器的方法”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光裝置及其制造方法。
背景技術
有機電致發光裝置是一種平板顯示器,其具有亮度高和驅動電壓低的優點。此外,有機電致發光裝置由于是自發光類型而具有高對比度、薄外形、不受限制的視角以及低溫下的穩定性,由于約幾微妙的響應速度而易于顯示圖像,并且由于DC 5V至15V的低驅動電壓而便于制造和設計驅動電路。
因此,有機電致發光裝置被用作諸如TV、監視器和移動電話之類的各種IT裝置。
有機電致發光裝置包括陣列器件和有機發光二極管。陣列器件包括連接至柵極線和數據線的開關薄膜晶體管以及連接至有機發光二極管的驅動薄膜晶體管。有機發光二極管包括連接至驅動薄膜晶體管的第一電極、有機發光層和第二電極。
從有機發光二極管發出的光朝著第一電極或第二電極行進,以顯示圖像。考慮到開口率,采用朝著第二電極發射光的頂發射型有機電致發光裝置。
如上所述的有機電致發光裝置的有機發光層通過熱沉積方法而形成,其中采用由金屬材料制成的遮蔽掩模來執行熱沉積方法。
圖1是示出根據現有技術采用遮蔽掩模的熱沉積方法的示意圖。
粉末形式的有機發光材料51位于具有加熱裝置的沉積裝置50中。在真空腔室中,當操作加熱裝置以加熱沉積裝置50時,熱量被傳遞給有機發光材料51,使得有機發光材料51升華。有機發光材料氣體52通過沉積裝置50的出口散發,并通過在沉積裝置50的出口上方具有多個開口部OA1、OA2的遮蔽掩模30而選擇性地沉積在基板70上,從而在基板70上形成有機發光層。
關于遮蔽掩模30的制造,利用例如包括光致抗蝕劑沉積、曝光、顯影和蝕刻的掩模工藝,在頂表面和底表面上對金屬板進行圖案化,從而形成開口部OA1、OA2以及位于相鄰開口部OA1、OA2之間的遮蔽部SA。位于頂表面區域的開口部OA1具有與位于底表面的開口部0A2不同的面積。
用于形成遮蔽掩模30的圖案化工藝與遮蔽掩模30的金屬材料的蝕刻速率以及遮蔽掩模30的厚度t有關。在沿一個方向蝕刻遮蔽掩模30的情況下,每個開口部OA1、OA2的尺寸差異出現得很多,并且由于每個位置的開口部OA1、OA2之間的面積差異導致的誤差出現得很多。為了防止上述現象,對頂表面和底表面同時執行蝕刻。
相應地,開口部OA1、OA2的面積,更具體地說是寬度(開口部在面向基板70的表面的寬度)需要至少32μm,以便使得上述寬度落入允許的制造誤差范圍內。
在面向基板70的開口部的寬度A小于32μm的情況下,如果遮蔽掩模30的厚度t為常數(例如t=40μm),則位于遮蔽掩模30的底表面的開口部OA2具有更大的面積。在這種情況下,在相鄰開口部OA2之間的部分,即肋部的寬度非常小,這導致遮蔽掩模30的硬度降低,因而當遮蔽掩模30下垂時,開口部會出現變形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





