[發(fā)明專利]一種環(huán)境傳感器、集成裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610105071.7
• 申請日: 2016-02-25
• 公開（公告）號: CN105609501A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張俊德
• 申請（專利權(quán)）人: 歌爾聲學(xué)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L21/822
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智;馬佑平

1.一種環(huán)境傳感器，其特征在于：包括襯底(1)，在所述襯底(1) 上設(shè)置有至少一個(gè)電阻器，在所述襯底(1)的上方還設(shè)置有覆蓋所述電阻 器的第一絕緣層(3)；還包括形成在所述第一絕緣層(3)上的導(dǎo)電圖案 (6)，在所述導(dǎo)電圖案(6)的上方設(shè)置有連接在導(dǎo)電圖案(6)中的環(huán)境 敏感材料層(8)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境傳感器，其特征在于：所述電阻器包 括層疊設(shè)置的多晶硅層(4)、導(dǎo)電介質(zhì)層(5)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的環(huán)境傳感器，其特征在于：所述導(dǎo)電介質(zhì) 層(5)采用WSi₂、TiSi₂、NiSi₂或MoSi₂材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)境傳感器，其特征在于：所述襯底(1) 采用單晶硅材料，在所述電阻器與襯底(1)之間還設(shè)有用于絕緣的第二絕 緣層(2)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)境傳感器，其特征在于：所述襯底(1) 上還設(shè)置有背腔(9)，所述電阻器通過第二絕緣層(2)懸空在背腔(9) 的上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)境傳感器，其特征在于：所述襯底(1) 還設(shè)置有上端開口的容腔(11)，所述電阻器通過第二絕緣層(2)懸空在 背腔(9)的上方。

7.一種環(huán)境傳感器的集成裝置，其特征在于：至少包括第一環(huán)境傳 感器、第二環(huán)境傳感器，所述第一環(huán)境傳感器、第二環(huán)境傳感器具有如權(quán) 利要求1至6任一項(xiàng)所述環(huán)境傳感器的結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成裝置，其特征在于：所述第一環(huán)境傳 感器為氣敏傳感器，所述第二環(huán)境傳感器為濕度傳感器。

9.一種環(huán)境傳感器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

a)在襯底(1)的上方形成第二絕緣層(2)，并在第二絕緣層(2) 的上方設(shè)置導(dǎo)電層，對該導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成電阻器；

b)在電阻器的上方沉積第一絕緣層(3)，使得所述第一絕緣層(3) 將電阻器覆蓋?。?

c)在所述第一絕緣層(3)的上方設(shè)置金屬層，并對該金屬層進(jìn)行刻 蝕，形成導(dǎo)電圖案(6)；

d)在所述導(dǎo)電圖案(6)的上方繼續(xù)沉積第一絕緣層(3)，并對該 第一絕緣層(3)進(jìn)行刻蝕，以將導(dǎo)電圖案(6)露出；

e)在所述導(dǎo)電圖案(6)上設(shè)置環(huán)境敏感材料層(8)，以將環(huán)境敏 感材料層(8)連接在導(dǎo)電圖案(6)中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述步驟d)中， 還包括在第一絕緣層(3)的上方設(shè)置保護(hù)層(7)，并對保護(hù)層(7)、第 一絕緣層(3)進(jìn)行刻蝕，以將導(dǎo)電圖案(6)露出的步驟。