[發明專利]一種適合單色光LED晶元級封裝的器件結構

有效

• 申請號: 201610105024.2
• 申請日: 2016-02-25
• 公開（公告）號: CN107123713B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 郝茂盛;張楠;袁根如
• 申請（專利權）人: 上海芯元基半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/46;H01L33/22
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 唐棉棉

1.一種適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于，所述封裝器件結構至少包括：

透明襯底，所述透明襯底具有上表面、下表面以及側面；

薄膜倒裝結構發光二極管，鍵合在所述透明襯底上表面，所述薄膜倒裝結構發光二極管與透明襯底的鍵合面上具有粗化結構；

第一反射鏡，覆蓋于所述透明襯底和薄膜倒裝結構發光二極管側面；

鈍化層，覆蓋在所述第一反射鏡的表面，

其中，所述薄膜倒裝結構發光二極管包括：

N型半導體生長層，所述N型半導體生長層一個表面粗化成所述粗化結構，其中，所述第一反射鏡與所述N型半導體生長層形成n型歐姆接觸；

量子阱層、P型半導體生長層以及第二反射鏡，自下而上依次生長于所述N型半導體生長層上與所述粗化結構相對的另外一個表面上，所述第二反射鏡與所述第一反射鏡互聯形成一反射杯；

P電極，結合于所述第二反射鏡上；

N電極，形成于所述第二反射鏡上，并穿過絕緣層、第二反射鏡、P型半導體生長層以及量子阱層與所述N型半導體生長層電連接；

絕緣層，隔離于所述N電極與所述第二反射鏡、P型半導體生長層以及量子阱層之間。

2.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述透明襯底的厚度范圍為50～1000μm，透光率在82％以上，折射率范圍為1～2.5。

3.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述透明襯底的下表面可以加工成微觀出光結構，所述微觀出光結構為微觀透鏡陣列結構或縱橫交錯排布的V型槽結構。

4.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述N型半導體生長層表面的所述粗化結構被粗化成微觀錐形粗化結構，所述微觀錐形粗化結構表面粘合于所述透明襯底的上表面。

5.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述第二反射鏡與P型半導體生長層形成歐姆接觸，所述第二反射鏡為ITO/Ag、Ag、Ni/Ag或者ITO/DBR。

6.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述透明襯底的側壁易加工成有利于出光的梯形結構，所述透明襯底下表面易加工成有利于各種有利于出光的微觀出光結構。

7.根據權利要求1所述的適合單色光LED晶元級封裝的器件結構，其特征在于：所述第一反射鏡和所述P型半導體生長層表面的第二反射鏡形成梯形狀的反射杯結構。