[發明專利]傳感器的制造方法及傳感器

有效

• 申請號: 201610104382.1
• 申請日: 2016-02-25
• 公開（公告）號: CN107121475B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 王玉麟;許振彬;陳姵圻
• 申請（專利權）人: 王玉麟
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414;B81C1/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有模穴的模具；

在所述模穴中配置至少一芯片，其中所述至少一芯片具有相對的主動面與背面，所述主動面朝向所述模穴的底面；

將高分子材料填入所述模穴中，以覆蓋所述芯片的所述背面；

進行熱處理，使得所述高分子材料固化為高分子基板；

進行脫模處理，使得所述高分子基板從所述模穴分離出來；以及

在所述高分子基板的第一表面上形成多條導線，其中所述導線與所述至少一芯片電性連接。

2.根據權利要求1所述的傳感器的制造方法，其特征在于，在所述高分子基板的所述第一表面上形成所述導線之后，還包括：在所述至少一芯片上形成高分子微流道結構。

3.根據權利要求2所述的傳感器的制造方法，其特征在于，在所述至少一芯片上形成所述高分子微流道結構之前，還包括：在所述高分子基板的所述第一表面上形成保護層，所述保護層具有開口，所述開口至少暴露出所述至少一芯片的感測區。

4.根據權利要求1所述的傳感器的制造方法，其特征在于，所述高分子基板的所述第一表面與所述芯片的所述主動面為共平面。

5.根據權利要求1所述的傳感器的制造方法，其特征在于，所述高分子材料包括熱固性樹脂材料。

6.根據權利要求5所述的傳感器的制造方法，其特征在于，所述熱固性樹脂材料包括環氧樹脂、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或其組合。

7.根據權利要求1所述的傳感器的制造方法，其特征在于，所述至少一芯片包括晶體管式芯片、表面聲波式芯片、二極管式芯片、半導體電阻式芯片、微機電式芯片或其組合。

8.根據權利要求7所述的傳感器的制造方法，其特征在于，所述晶體管式芯片包括高速電子遷移率晶體管、硅基晶體管、奈米線晶體管、奈米碳管晶體管、石墨烯晶體管、二硫化鉬晶體管或其組合。

9.一種傳感器，其特征在于，包括：

高分子基板；

至少一芯片，內埋在所述高分子基板中，其中所述至少一芯片具有相對的主動面與背面，所述主動面外露在所述高分子基板的第一表面；

多條導線，配置在所述高分子基板上，其中所述導線與所述至少一芯片電性連接；以及

高分子微流道結構，配置在所述至少一芯片上且與所述至少一芯片物理接觸，其中所述至少一芯片的感測區外露于所述高分子微流道結構中的通道。

10.根據權利要求9所述的傳感器，其特征在于，其中所述導線彼此電性隔離，且所述導線包括：

第一導線，與源極端電性連接；

第二導線，與漏極端電性連接，其中所述源極端與所述漏極端彼此分隔，而柵極端位于所述源極端與所述漏極端之間；以及

第三導線，具有所述感測區。

11.根據權利要求9所述的傳感器，其特征在于，所述高分子基板的所述第一表面與所述芯片的所述主動面為共平面。

12.根據權利要求9所述的傳感器，其特征在于，所述至少一芯片包括晶體管式芯片、表面聲波式芯片、二極管式芯片、半導體電阻式芯片、微機電式芯片或其組合。

13.根據權利要求12所述的傳感器，其特征在于，所述晶體管式芯片包括高速電子遷移率晶體管、硅基晶體管、奈米線晶體管、奈米碳管晶體管、石墨烯晶體管、二硫化鉬晶體管或其組合。