[發明專利]一種高壓LED及其制作工藝

在審

• 申請號: 201610103085.5
• 申請日: 2016-02-25
• 公開（公告）號: CN105590943A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: 蔡立鶴;張永;陳凱軒;李俊賢;劉英策;陳亮;魏振東;吳奇隆;周弘毅;鄔新根;黃新茂
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種高壓LED，包括設置在襯底上的多個元胞，各元胞的第二電極和相鄰的另一元胞 的第一電極之間設置金屬連接層；每個元胞包括N-GaN層、量子阱層和P-GaN層，在P-GaN層 上設置第一電極，在N-GaN層上設置第二電極，其特征在于在各元胞的量子阱層側壁、N-GaN 層表面設置DBR絕緣層，在所述元胞的第二電極和相鄰的另一元胞的第一電極之間的襯底 表面、N-GaN層側壁、量子阱層側壁、P-GaN層側壁及P-GaN層表面設置DBR絕緣層。

2.如權利要求1所述高壓LED的制作工藝，其特征在于包括以下步驟：

1）在襯底上的同側依次生長形成N-GaN層、量子阱層和P-GaN層；

2）圖形化地刻蝕去除各元胞的P-GaN層和量子阱層部分區域，直至暴露出N-GaN層；

3）在N-GaN層上刻蝕去除部分N-GaN層，直至暴露出部分襯底；

4）在半制品表面蒸鍍DBR層，再通過刻蝕，保留每個元胞的量子阱層側壁和N-GaN層表 面的DBR層，以及在所述元胞的第二電極區域和相鄰的另一元胞的第一電極區域之間的襯 底表面、N-GaN層側壁、量子阱層側壁、P-GaN層側壁及P-GaN層表面的DBR層；

5）制作形成各元胞的第一電極和第二電極；

6）在DBR層表面，將各元胞的第二電極和相鄰的另一元胞的第一電極之間蒸鍍金層連 接層。