[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

有效

• 申請號: 201610101514.5
• 申請日: 2016-02-24
• 公開（公告）號: CN105679783B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 饒金華
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

疊層襯底，所述疊層襯底包括：底層襯底；位于底層襯底表面的埋氧層；位于埋氧層表面的頂層襯底，所述疊層襯底包括像素區和位于所述像素區外圍的吸收區；

位于所述像素區的半導體器件單元；

位于吸收區疊層襯底中的吸收結構，所述吸收結構包括吸收層，所述吸收層包括多晶層;

所述吸收層還包括：位于多晶層表面的覆蓋層；所述吸收結構為由多層不同的吸收層形成的疊層結構；所述吸收結構中，由多晶層和位于多晶層表面的覆蓋層形成的吸收層為第一吸收層，僅由多晶層形成的吸收層為第二吸收層；

所述覆蓋層的厚度為10埃～100埃；所述多晶層的厚度為100埃～1000埃。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述多晶層的材料為多晶硅；所述覆蓋層的材料為氧化硅。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述吸收層平行于襯底表面的截面為環繞所述像素區的環形。

4.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述吸收結構與所述埋氧層接觸。

5.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述疊層襯底為絕緣體上硅襯底；所述頂層襯底和底層襯底的材料為硅；所述埋氧層的材料為氧化硅；

或者所述疊層襯底為絕緣體上鍺襯底；所述頂層襯底和底層襯底的材料為鍺；所述埋氧層的材料為氧化鍺。

6.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供疊層襯底，所述疊層襯底包括：底層襯底；位于底層襯底表面的埋氧層；位于埋氧層表面的頂層襯底，所述疊層襯底包括：像素區和位于所述像素區外圍的吸收區；

刻蝕所述吸收區疊層襯底，形成凹槽；

在所述凹槽中形成吸收結構，所述吸收結構包括吸收層，所述吸收層包括：多晶層；

所述吸收層還包括：位于多晶層表面的覆蓋層；所述吸收結構為由多層不同的吸收層形成的疊層結構；所述吸收結構中，由多晶層和位于多晶層表面的覆蓋層形成的吸收層為第一吸收層，僅由多晶層形成的吸收層為第二吸收層；

所述覆蓋層的厚度為10埃～100埃；所述多晶層的厚度為100埃～1000埃。

7.如權利要求6所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，

形成所述吸收層的步驟包括：在所述凹槽底部和側壁表面形成多晶層；在所述多晶層表面形成覆蓋層；

刻蝕所述吸收區疊層襯底，形成凹槽的步驟中刻蝕至暴露出所述埋氧層。