[發(fā)明專利]原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610101289.5
• 申請日: 2016-02-24
• 公開（公告）號: CN105568256A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李春雷;李東旗;何金正
• 申請（專利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 陶金龍;張磊

1.一種原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特征在于，包括以下 步驟：

步驟S1：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第一種反應(yīng)源，形成向反 應(yīng)腔室充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第一種反應(yīng)源的有效 擴散時間；

步驟S2：將出氣閥門完全打開，并通入吹掃氣體進行吹掃，將反應(yīng)腔室 內(nèi)殘留的第一種反應(yīng)源抽出；

步驟S3：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第二種反應(yīng)源，形成向反 應(yīng)腔室充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第二種反應(yīng)源的有效 擴散時間；

步驟S4：將出氣閥門完全打開，并通入吹掃氣體進行吹掃，將反應(yīng)腔室 內(nèi)殘留的第二種反應(yīng)源抽出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特 征在于，步驟S1包括：

步驟S11：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第一種反應(yīng)源；

步驟S12：停止第一種反應(yīng)源通入，并通入稀釋氣體，形成向反應(yīng)腔室 充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第一種反應(yīng)源的有效擴散時 間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特 征在于，步驟S3包括：

步驟S31：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第二種反應(yīng)源；

步驟S32：停止第二種反應(yīng)源通入，并通入稀釋氣體，形成向反應(yīng)腔室 充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第二種反應(yīng)源的有效擴散時 間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特 征在于，步驟S1包括：

步驟S11：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第一種反應(yīng)源；

步驟S12：停止第一種反應(yīng)源通入，并通入稀釋氣體，形成向反應(yīng)腔室 充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第一種反應(yīng)源的有效擴散時 間；

步驟S3包括：

步驟S31：減小反應(yīng)腔室的出氣閥門開度，通入第二種反應(yīng)源；

步驟S32：停止第二種反應(yīng)源通入，并通入稀釋氣體，形成向反應(yīng)腔室 充氣的過程，使反應(yīng)腔室壓力逐漸升高，以增加第二種反應(yīng)源的有效擴散時 間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn) 方法，其特征在于，將反應(yīng)腔室的出氣閥門開度減小至零。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn) 方法，其特征在于，在形成向反應(yīng)腔室充氣的過程中，使反應(yīng)腔室的壓力逐 漸升高到0.5-10Torr。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特 征在于，使反應(yīng)腔室的壓力逐漸升高到1-5Torr。

8.根據(jù)權(quán)利要求2-4任意一項所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn) 方法，其特征在于，所述稀釋氣體采用反應(yīng)源載氣或吹掃氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的原子層沉積技術(shù)制備薄膜的實現(xiàn)方法，其特 征在于，所述稀釋氣體為氮氣或惰性氣體。