[發明專利]濕法剝離中防止氮化鎵基垂直LED襯底被腐蝕的方法在審
| 申請號： | 201610099451.4 | 申請日： | 2016-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN105679889A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李健富 |
| 地址： | 517000 廣東省河源市高新技術開*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濕法 剝離 防止 氮化 垂直 led 襯底 腐蝕 方法 | ||
1.濕法剝離中防止氮化鎵基垂直LED襯底被腐蝕的方法，包括以下步驟：
1)清洗：將氮化鎵基垂直LED片依次置于丙酮、乙醇、去離子水中超聲 清洗；取出后經去離子水清洗，用氮氣吹干；該氮化鎵基垂直LED片自下至上 依次由硅襯底、LED外延層和金屬襯底復合而成；
2)旋涂表面處理劑：在金屬襯底面中心滴加表面處理劑，以1000rpm預轉 后再以3000rpm旋轉使表面處理劑在金屬襯底上分散均勻；
3)旋涂光刻膠：在金屬襯底面中心滴加正性光刻膠，以1000rpm預轉后再 以3000rpm旋轉使正性光刻膠在金屬襯底上分散均勻；
4)刷涂光刻膠：用刷子將金屬襯底的側面刷上正性光刻膠；使金屬襯底側 面封口；
5)烘干：將步驟4)處理后的氮化鎵基垂直LED片先于105-115℃干燥后 再于135-145℃烘干。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，使用勻膠機旋涂 表面處理劑，將氮化鎵基垂直LED片以金屬襯底朝上的方式吸附于勻膠機吸盤。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，所述表面處理劑 為六甲基二硅胺。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，表面處理劑的旋 涂量為1-2mL/cm2。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中，光刻膠的旋涂量 為3-4mL/cm2。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)中，先于105-115℃干 燥40-80s后再于135-145℃烘干40-80s。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)后還包括步驟6)濕法 剝離：采用以氫氟酸和硝酸按1：2的體積比混合硅腐蝕液將硅襯底剝離，取出。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，步驟6)后還包括步驟7)去光 刻膠：采用正膠去膜劑超聲振蕩去膠，清洗，干燥。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，步驟7)中，所述正膠去膜劑 為KMPST600。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，步驟7)中，將步驟6)處理 后的氮化鎵基垂直LED片放入KMPST600中于70-85℃超聲15-30min；再放入 到丙酮中于40-45℃超聲10-20min；再放入到異丙醇中于45-55℃超聲15-20min。
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