[發明專利]集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 201610099350.7
• 申請日: 2016-02-23
• 公開（公告）號: CN107104048A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 劉美華;孫輝;林信南;陳建國
• 申請（專利權）人: 北京大學;北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L29/778;H01L29/872
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬爽,黃健

1.一種集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在硅襯底上表面依次生長氮化鎵緩沖層和鋁鎵氮勢壘層；

在所述鋁鎵氮勢壘層上淀積氧化層；

對左側部分區域的氧化層進行刻蝕，形成源極接觸孔；

對右側部分區域的氧化層進行刻蝕，形成氧化層開孔，在所述氧化層開孔內刻蝕鋁鎵氮勢壘層、氮化鎵緩沖層及部分硅襯底，形成漏極接觸孔；

制造所述集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的源極及漏極；

制造所述集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的柵極；

在所述硅襯底下表面形成肖特基電極，以使在所述漏極中的源漏極金屬層、所述硅襯底及所述肖特基電極形成肖特基二極管。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造所述集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的源極及漏極具體包括：

在所述源極接觸孔內、所述漏極接觸孔內、所述源極接觸孔上方、所述漏極接觸孔上方及所述氧化層上方沉積源漏極金屬層；

采用電子束工藝蒸發所述源漏極金屬層中的金屬；

對所述氧化層上方的源漏極金屬層進行光刻，刻蝕，形成源極及漏極。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造所述集成肖特基二極管的氮化鎵晶體管的柵極具體包括：

對中間部分區域的氧化層和鋁鎵氮勢壘層進行刻蝕，形成柵極接觸孔；

在所述柵極接觸孔內、所述柵極接觸孔上方及所述源極及所述漏極之間的氧化層上方沉積柵極金屬層；

采用電子束工藝蒸發所述柵極金屬層中的金屬；

對所述氧化層上方的柵極金屬層進行光刻，刻蝕，形成柵極。

4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述硅襯底下表面形成肖特基電極具體為：

在所述硅襯底下表面依次生長鎳層及金層，以形成肖特基電極。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述源極接觸孔內、所述漏極接觸孔內、所述源極接觸孔上方、所述漏極接觸孔上方及所 述氧化層上方沉積源漏極金屬層具體為：

在所述源極接觸孔內、所述漏極接觸孔內、所述源極接觸孔上方、所述漏極接觸孔上方及所述氧化層上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積鈦層，鋁層，鈦層及氮化鈦層，以形成源漏極金屬層。

6.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述在所述柵極接觸孔內、所述柵極接觸孔上方及所述源極及所述漏極之間的氧化層上方沉積柵極金屬層具體為：

在所述柵極接觸孔內、所述柵極接觸孔上方及所述源極及所述漏極之間的氧化層上方采用磁控濺射鍍膜工藝依次沉積氮化鈦層，鈦層，鋁層，鈦層及氮化鈦層，以形成柵極金屬層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化層為二氧化硅層。