[發明專利]一種三相開關磁阻電機模塊化功率變換器勵磁控制策略

有效

• 申請號: 201610097014.9
• 申請日: 2016-02-22
• 公開（公告）號: CN105634372B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 宋受俊;夏澤坤
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: H02P25/098
• 分類號: H02P25/098
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種三相開關磁阻電機模塊化功率變換器勵磁控制策略，其特征在于：所述的模塊化功率變換器由一個Six-pack IGBT模塊和一個Dual IGBT模塊組成；Six-packIGBT模塊包括一到六號開關管T1～T6，一到六號二極管D1～D6；六個開關管T1～T6和六個二極管D1～D6組成上下三個橋臂，三個上橋臂分別由開關管T1，T3，T5和二極管D1，D3，D5組成，三個下橋臂分別由開關管T2，T4，T6和二極管D2，D4，D6組成；所述的Dual IGBT模塊包括七號開關管T7，八號開關管T8，七號二極管D7和八號二極管D8，開關管T7和二極管D7組成一個上橋臂，開關管T8和二極管D8組成一個下橋臂；Six-pack IGBT模塊和Dual IGBT模塊每個上橋臂接直流電源正端，下橋臂接直流電源負端；Six-pack IGBT模塊的三個上下橋臂連接處引出線分別與開關磁阻電機三相繞組相連，Dual IGBT模塊的上下橋臂連接處引出線與開關磁阻電機三相繞組連接點N相連；通過同時開通Six-pack IGBT模塊中一個橋臂的上管和DualIGBT模塊中橋臂的下管，或同時開通Six-pack IGBT模塊中一個橋臂的下管和DualIGBT模塊中橋臂的上管，實現開關磁阻電機的單相導通；通過同時開通Six-pack IGBT模塊中一個橋臂的上管以及另一個橋臂的下管，實現開關磁阻電機的兩相重疊導通；定義開關磁阻電機A、B、C三相繞組的開通、關斷角分別為θ_onA、θ_offA、θ_onB、θ_offB、θ_onC、θ_offC，轉子位置角為θ，各相導通角存在重疊，且勵磁順序為BA→A→AC→C→CB→B→BA；該控制策略實現過程如下：

當θ_onA≤θ<θ_offB時，A相導通，B相未關斷，A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下管同時導通，或A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時A、B兩相串聯勵磁；

當θ_offB≤θ<θ_onC時，B相關斷，A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂下管同時導通，或A相繞組所連接Six-packIGBT模塊橋臂的下管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時A相繞組單獨勵磁，B相退磁直至關斷；

當θ_onC≤θ<θ_offA時，C相導通，A相未關斷，A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂上管與C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下管同時導通，或A相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂下管與C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時A、C兩相串聯勵磁；

當θ_offA≤θ<θ_onB時，A相關斷，C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的下管同時導通，或C相繞組所連接Six-packIGBT模塊橋臂的下管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時C相繞組單獨勵磁，A相退磁直至關斷；

當θ_onB≤θ<θ_offC時，B相導通，C相未關斷，C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下管同時導通，或C相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的下管與B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時C、B兩相串聯勵磁；

當θ_offC≤θ<θ_onA時，C相關斷，B相繞組所連接Six-pack IGBT模塊橋臂的上管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的下管同時導通，或B相繞組所連接Six-packIGBT模塊橋臂的下管與繞組另一端所連接Dual IGBT模塊橋臂的上管同時導通，并與電源正、負端組成完整回路，此時B相繞組單獨勵磁，C相退磁直至關斷。