[發明專利]一種有機電致發光器件

有效

• 申請號: 201610096055.6
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN105576141B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 楊會貞;莊亞燕
• 申請（專利權）人: 姜玉蘭
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙)44324
• 代理人: 鄧揚

1.一種有機電致發光器件，包括陽極、功能層、發光層和陰極，所述陽極為修飾氧化銦錫陽極，所述修飾氧化銦錫陽極包括氧化銦錫陽極和修飾層，所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設置在所述氧化銦錫薄膜表面，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的質量百分含量為11～20％，錫元素與銦元素的質量百分含量比為0.004～0.017；所述修飾氧化銦錫陽極采用如下步驟制備而成：

提供潔凈的氧化銦錫陽極；所述氧化銦錫陽極包括玻璃基板和設置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜；

將所述氧化銦錫陽極浸入濃度為0.2～2mol/L的含氟有機酸水溶液中，于5～20℃下浸泡0.5～2分鐘后，取出，干燥；

將干燥后的所述氧化銦錫陽極置于等離子體設備中，通入含氟氣體，使等離子體設備內的氣體壓力為10Pa～60Pa，調整射頻功率為40w～100w，進行等離子體處理5～10分鐘，得到修飾氧化銦錫陽極，所述修飾氧化銦錫陽極的表面具有修飾層，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述氧化銦錫薄膜的厚度為70～200nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。

4.如權利要求3所述的有機電致發光器件，其特征在于，當所述功能層為多層時，所述空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極按順序依次設置在修飾氧化銦錫陽極的ITO薄膜表面。

5.如權利要求3所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質可以為酞菁鋅(ZnPc)，酞菁銅(CuPc)，酞菁氧釩(VOPc)，酞菁氧鈦(TiOPc)，酞菁鉑(PtPc)或4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，空穴注入層的厚度為10～40nm。

6.如權利要求3所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的空穴傳輸材料可以為N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-聯苯-4，4′-二胺(TPD)、N，N，N′，N′-(四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯(MeO-TPD)、2，7-雙(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD)、N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-聯苯-4，4′-二胺(NPB)、1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)環己烷(TAPC)或2，2′，7，7′-四(N，N-二苯胺基)-9，9′-螺二芴(S-TAD)，空穴傳輸層的厚度為20～50nm。

7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材質為發光材料摻雜空穴傳輸材料或電子傳輸材料形成的混合材料。