[發明專利]一種射頻發射模塊、組件、相控陣天線及其制造方法有效
| 申請號: | 201610095319.6 | 申請日: | 2016-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN105721000B | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 丁慶;姚建可;程子凡;吳光勝;黃永江;李曉叢 | 申請(專利權)人: | 深圳市華訊方舟微電子科技有限公司;華訊方舟科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/04 | 分類號: | H04B1/04 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙)11446 | 代理人: | 武玉琴,劉國偉 |
| 地址: | 518102 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 射頻 發射 模塊 組件 相控陣 天線 及其 制造 方法 | ||
1.一種射頻發射模塊,其特征在于,包括第一推動級放大器、功分網絡、四個發射通道、電源模塊和波控微波子板;
射頻信號依次經所述第一推動級放大器和所述功分網絡后分成四路,四路射頻信號分別送至四個所述發射通道;
各所述發射通道包括數字移相衰減器和發射天線,所述波控微波子板分別連接各發射通道的所述數字移相衰減器,各數字移相衰減器在波控微波子板的控制下將各路所述射頻信號的相位和增益調節至預設值或期望值后送至所述發射天線;
其中,所述波控微波子板包括檢測單元、計算單元、驅動電路和接口電路,所述接口電路分別連接到上位機、所述檢測單元和所述計算單元;所述檢測單元分別連接至所述數字移相衰減器,用于實時檢測射頻信號相移量和衰減量,并將檢測結果通過所述接口電路送至所述計算單元;每個數字移相衰減器對應一個驅動電路,所述計算單元連接所述驅動電路,用于根據來自所述上位機的預設的射頻信號相位值及增益值和來自所述檢測單元的檢測結果,通過所述驅動電路將流經所述數字移相衰減器的各路所述射頻信號的相位和增益調節至預設值或期望值。
2.根據權利要求1所述的射頻發射模塊,其特征在于,還在各所述發射通道中設有第二推動級放大器,所述第二推動級放大器的輸入端連接所述數字移相衰減器的輸出端,第二推動級放大器的輸出端連接所述發射天線。
3.根據權利要求2所述的射頻發射模塊,其特征在于,還在各所述發射通道中設有末級放大器,所述末級放大器的輸入端連接所述第二推動級放大器的輸出端,末級放大器的輸出端連接所述發射天線。
4.根據權利要求1所述的射頻發射模塊,其特征在于,所述數字移相衰減器為六位數字移相衰減器。
5.根據權利要求1所述的射頻發射模塊,其特征在于,所述射頻發射模塊的工作波段為K波段或Ka波段。
6.一種射頻發射組件,其特征在于,包括兩個如權利要求1所述的射頻發射模塊,兩個所述的射頻發射模塊面對面互為鏡像地貼合在一起。
7.根據權利要求6所述的射頻發射組件,其特征在于,兩個所述射頻發射模塊分別工作在不同的波段。
8.根據權利要求7所述的射頻發射組件,其特征在于,一個射頻發射模塊工作在K波段,另一個射頻發射模塊工作在Ka波段。
9.一種相控陣天線,其特征在于,所述相控陣天線包括n組如權利要求6-8任一項所述的射頻發射組件,n為8或8的整數倍;
各所述射頻發射組件并排固定在一外殼中,以形成所述相控陣天線。
10.一種制造相控陣天線的方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)形成射頻發射模塊:所述射頻發射模塊包括設于微波電路基片上的第一推動級放大器、功分網絡、四個發射通道、電源模塊和波控微波子板;
射頻信號依次經所述第一推動級放大器和所述功分網絡后分成四路,四路射頻信號分別送至四個所述發射通道;
各所述發射通道包括數字移相衰減器和發射天線,所述波控微波子板分別連接各發射通道的所述數字移相衰減器,各數字移相衰減器在波控微波子板的控制下將各路所述射頻信號的相位和增益調節至預設值或期望值后送至所述發射天線;
其中,所述波控微波子板包括檢測單元、計算單元、驅動電路和接口電路,所述接口電路分別連接到上位機、所述檢測單元和所述計算單元;所述檢測單元分別連接至所述數字移相衰減器,用于實時檢測射頻信號相移量和衰減量,并將檢測結果通過所述接口電路送至所述計算單元;每個數字移相衰減器對應一個驅動電路,所述計算單元連接所述驅動電路,用于根據來自所述上位機的預設的射頻信號相位值及增益值和來自所述檢測單元的檢測結果,通過所述驅動電路將流經所述數字移相衰減器的各路所述射頻信號的相位和增益調節至預設值或期望值;
所述微波電路基片安裝在基板上;
(2)形成射頻發射組件:所述射頻發射組件由步驟(1)中兩個所述射頻發射模塊面對面互為鏡像地貼合而成;
(3)形成相控陣天線:所述相控陣天線由步驟(2)中n組所述射頻發射組件并排固定在一外殼中組合而成,n為8或8的整數倍。
11.根據權利要求10所述的制造相控陣天線的方法,其特征在于,步驟(1)中所述微波電路基片由低溫共燒硅鋁陶瓷材料制成,所述微波電路基片對稱且等相位。
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