[發明專利]發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201610095213.6
• 申請日: 2016-02-22
• 公開（公告）號: CN105720138B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 黃禹杰;林素慧;彭康偉;洪靈愿;夏章艮;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種具有立體式擴展電極的發光二極管及其制作方法，其結構包括第一連接層、發光層、第二連接層，以及分別形成于所述第一連接層與第二連接層之上的第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極包括電極主體和至少一個向外延伸的金屬擴展部，所述金屬擴展部與第一連接層的表面不完全接觸，增加所述第一金屬擴展部與所述發光層的距離，可降低金屬電極的吸光，提升發光二極管元件效率，同時藉由三維結構的擴展電極可增加表面金屬的表面積，進而增加元件的散熱面積，使元件所產生的熱能可更快被導出，降低元件的效率及可靠度的損耗。

技術領域

本發明涉及半導體發光器件，具體為一種具有擴展電極的發光二極管及其制作方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED) 是一種半導體發光器件，利用半導體P-N 結電致發光原理制成。LED以其亮度高、低功耗、壽命長、功率小等優點，成為新一代光源首選。

目前大部分的發光二極管的電極均采用二維結構之設計，具體為緊黏附于電流傳導層(TCL)/p、n型半導體層表面。在大尺寸的發光二極管中，為了讓電流有較遠的傳導距離，電極部分增加條狀(或者環狀、網狀等)延伸的擴展圖案(finger)設計，其同樣緊黏附于TCL/p、n型半導體層表面。但是由于電極結構的金屬材質為不透光，會阻擋和/或吸光一定程度的光線，導致發光二極管的發光效率降低。圖1為電極具有擴展結構的發光二極管示意圖。

發明內容

針對上述問題，本發明提供了一種具有擴展電極的發光二極管及其制作方法，該擴展電極與位于其下方連接層的表面不完全接觸，增加擴展電極與發光層的距離，可有效降低光被擴展電極的吸收。

本發明解決上述問題的技術方案為：發光二極管，包括第一連接層、發光層、第二連接層，以及分別形成于所述第一連接層與第二連接層之上的第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極包括電極主體和至少一個向外延伸的金屬擴展部，所述金屬擴展部與第一連接層的表面不完全接觸，增加所述第一金屬擴展部與所述發光層的距離。

優選的，所述第一連接層包括第一半導體和電流傳導層，所述第二連接層包括第二半導體層。在一些實施例中，也可以第一連接層即為第一半導體層。

優選的，所述金屬擴展部與所述第一連接層之間具有空隙。

優選的，所述金屬擴展部鄰近第一連接層的一側部分懸空。

優選的，所述金屬擴展部為金屬線，具有兩個接觸點，第一接觸點位于所述電極主體，第二接觸點位于所述第一連接層的表面上，中間懸空。

本發明同時提供了一種發光二極管的制作方法，包括形成第一連接層、發光層和第第二連接，并分別在第一連接層和第二連接層的表面上制作第一金屬電極和第二金屬電極，其中所述形成的第一金屬電極包括電極主體和至少一個向外延伸的金屬擴展部，所述金屬擴展部與第一連接層的表面不完全接觸，增加所述第一金屬擴展部與所述發光層的距離。

優選的，所述第一金屬電極通過下面方法獲得：首先在第一連接層的表面上制作所述電極主體，接著采用打線的方式制作所述金屬擴展部。

優選的，分別以所述電極主體和第一連接層的表面為接觸點，將金屬線連接所述接觸點，形成金屬擴展部。

優選的，所述第一金屬電極通過下面方法獲得：首先在第一連接層的表面上形成掩膜圖案，接著采用蒸鍍的方式形成金屬擴展部，移除所述掩膜圖案。

優選的，所述第一金屬電極通過下面方法獲得：首先在第一連接層的表面上形成掩膜圖案，接著采用蒸鍍和電鍍的方式形成所述第一金屬電極，移除所述掩膜圖案。

本發明至少具備以下有益效果：

（1）第一電極的部分金屬擴展部與發光層的距離增加，可降低金屬電極的吸光，提升發光二極管元件效率；