[發明專利]一種盲孔的制作方法有效
| 申請號: | 201610094996.6 | 申請日: | 2016-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN105513973B | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 朱得菊;吳德生 | 申請(專利權)人: | 信利光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 516600 廣東省汕尾*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 盲孔 掩膜層 蝕刻 第一表面 鏤空區域 制作 基板 第二表面 機械外力 相對設置 基板因 去除 損傷 | ||
1.一種盲孔的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板包括:相對設置的第一表面以及第二表面;
在所述第一表面形成掩膜層,在所述第二表面形成保護層;所述掩膜層包括:用于形成盲孔的鏤空區域;
對所述鏤空區域進行化學蝕刻,形成盲孔;其中,所述蝕刻試劑為氫氟酸,所述盲孔為深度小于所述基板厚度的凹槽;
當蝕刻完成后,去除所述掩膜層;
其中,所述在所述第一表面形成掩膜層,在所述第二表面形成保護層包括:在所述第二表面涂覆抗蝕刻油層;
在所述第一表面以及所述抗蝕刻油層表面涂覆光刻膠;
對位于所述第一表面以及位于所述抗蝕刻油層表面的光刻膠進行曝光,其中,位于所述第一表面的光刻膠采用設定模具進行曝光;
對所述光刻膠層進行固化處理后,再進行顯影處理,清洗掉所述第一表面上對應所述鏤空區域的光刻膠。
2.根據權利要求1所述的盲孔的制作方法,其特征在于,所述進行蝕刻包括:
將所述基板放入蝕刻試劑中設定時間,對所述基板進行蝕刻,在所述基板對應所述鏤空區域的位置形成預設深度的凹槽,以形成所述盲孔,所述預設深度小于所述基板的厚度。
3.根據權利要求2所述的盲孔的制作方法,其特征在于,所述基板面積超過預設尺寸,所述掩膜層包括多個鏤空區域;
所述將所述基板放入蝕刻試劑中設定時間進行蝕刻前包括:
將所述基板分割為多個設定面積的單元結構,每一所述單元結構的掩膜層具有至少一所述鏤空區域;
采用所述蝕刻試劑對所述單元結構進行蝕刻,形成具有盲孔的面板。
4.根據權利要求2所述的盲孔的制作方法,其特征在于,所述基板面積小于預設范圍,所述掩膜層包括多個鏤空區域;
對所述鏤空區域進行蝕刻包括:
對所述基板進行蝕刻,形成盲孔;
將蝕刻后的基板分割為多個至少具有一個所述盲孔的面板。
5.根據權利要求3或4所述的盲孔的制作方法,其特征在于,還包括:對所述面板進行鋼化。
6.根據權利要求2所述的盲孔的制作方法,其特征在于,所述基板是玻璃板。
7.根據權利要求1所述的盲孔的制作方法,其特征在于,還包括:對所述盲孔進行點拋光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





