[發(fā)明專利]一種膠囊量子點(diǎn)和發(fā)光二極管、制備方法及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610094470.8 | 申請日： | 2016-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN105720176A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 祝明;姚繼開;谷新;齊永蓮 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/54 | 分類號： | H01L33/54;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 膠囊 量子 發(fā)光二極管 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種膠囊量子點(diǎn)，其特征在于，包括亞微米級或微米級的介孔材料、吸附于所述介孔材料的孔洞內(nèi)的量子點(diǎn)、以及將所述量子點(diǎn)封裝在所述介孔材料的孔洞內(nèi)的封裝材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠囊量子點(diǎn)，其特征在于，所述介孔材料為透明的介孔材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膠囊量子點(diǎn)，其特征在于，所述封裝材料為熱固化樹脂。
4.一種發(fā)光二極管，包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、量子點(diǎn)層和第二電極，其特征在于，所述量子點(diǎn)層包括權(quán)利要求1-3任一項所述的膠囊量子點(diǎn)。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管；
其中，所述發(fā)光二極管設(shè)置在所述顯示裝置的每個子像素位置處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在每個子像素位置處的薄膜晶體管；
所述薄膜晶體管的漏極與所述第一電極電聯(lián)接。
7.一種膠囊量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括：
將亞微米級或微米級的介孔材料和量子點(diǎn)混合在熱固化樹脂中并攪拌均勻；
緩慢加熱，并按預(yù)定速率進(jìn)行攪拌，通過固化后的樹脂將所述量子點(diǎn)封裝在所述介孔材料的孔洞內(nèi)，形成所述膠囊量子點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述介孔材料為透明的介孔材料。
9.一種發(fā)光二極管的制備方法，包括在襯底基板上依次形成第一電極、量子點(diǎn)層和第二電極，其特征在于，形成所述量子點(diǎn)層，包括：
將通過權(quán)利要求7或8制備的所述膠囊量子點(diǎn)均勻混入光固化樹脂中，并涂覆在形成有所述第一電極的基板上；
采用掩模板進(jìn)行曝光、顯影后形成所述量子點(diǎn)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述光固化樹脂為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠。
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