[發(fā)明專利]一種可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置、系統(tǒng)及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610094164.4
• 申請(qǐng)日: 2016-02-19
• 公開（公告）號(hào): CN105758519B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李楠;李軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州市誠臻電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G01J1/44
• 分類號(hào): G01J1/44;G01R31/00
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務(wù)所有限公司 44228
• 代理人: 劉媖

1.一種可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，包括光探頭及光檢測(cè)電路，所述光檢測(cè)電路包括感光模塊、分壓模塊、電源模塊、開關(guān)模塊和測(cè)試模塊，其中，感光模塊、分壓模塊、電源模塊和開關(guān)模塊依次串聯(lián)構(gòu)成回路；所述測(cè)試模塊并聯(lián)在所述分壓模塊的兩端；所述光檢測(cè)電路的感光模塊通過光纖與光探頭連接；所述光探頭包括非金屬安裝殼、容置在所述非金屬安裝殼內(nèi)的聚焦透鏡、設(shè)置在所述非金屬安裝殼一端的安裝孔、以及設(shè)置在所述非金屬安裝殼另一端的進(jìn)光孔。

2.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述光纖的一端裝設(shè)在所述非金屬安裝殼一端的安裝孔中，另一端通過光纖連接器與光檢測(cè)電路的感光模塊相連。

3.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述感光模塊包括光敏二極管、光敏電阻中的一種。

4.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述分壓模塊包括分壓電阻。

5.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述電源模塊為直流電源。

6.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試模塊包括數(shù)據(jù)記錄儀、示波器或萬用表。

7.如權(quán)利要求1所示的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，其特征在于，所述光檢測(cè)電路中，所述感光模塊為光敏電阻R1；所述分壓模塊為分壓電阻R2；所述電源模塊為12V的直流電源；所述開關(guān)模塊為開關(guān)SW1；所述測(cè)試模塊包括數(shù)據(jù)記錄儀、示波器或萬用表。

8.一種可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1所述的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置，還包括數(shù)據(jù)采集卡、與所述的數(shù)據(jù)采集卡連接的上位機(jī)；所述數(shù)據(jù)采集卡用于采集來自測(cè)試模塊的電信號(hào)，并將電信號(hào)傳輸給上位機(jī)；所述上位機(jī)用于接收來自數(shù)據(jù)采集卡的電信號(hào)，并對(duì)所述的電信號(hào)進(jìn)行分析、處理，并輸出結(jié)果。

9.一種如權(quán)利要求1所述的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試裝置或權(quán)利要求8所述的可承受高電磁輻射場(chǎng)的光強(qiáng)測(cè)試系統(tǒng)在電磁兼容測(cè)試中的應(yīng)用。