[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610093357.8
• 申請日: 2016-02-19
• 公開（公告）號: CN105514126B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 趙利軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括顯示區域和非顯示區域，所述非顯示區域內設置有柵極驅動電路，所述柵極驅動電路包括相鄰的PMOS和NMOS，其特征在于，所述PMOS的柵極包括同層設置的所述PMOS的第一子柵極和所述PMOS的第二子柵極，所述NMOS的柵極包括同層設置的所述NMOS的第一子柵極和所述NMOS的第二子柵極，所述PMOS的柵極和為其提供信號的第一走線同層設置，所述NMOS的柵極和為其提供信號的第二走線同層設置，所述PMOS的柵極和所述第一走線所在膜層、所述NMOS的柵極和所述第二走線所在膜層層疊設置，且在兩個所述膜層之間設置有至少一層絕緣層；

所述PMOS的柵極在陣列基板所在平面的投影與所述第二走線在陣列基板所在平面的投影交疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述PMOS的有源層和所述NMOS的有源層同層設置，所述PMOS具有底柵結構，所述NMOS具有頂柵結構。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述PMOS所在區域，所述陣列基板包括依次層疊設置于襯底基板上的所述PMOS的柵極、第一柵極絕緣層、所述PMOS的有源層、第二柵極絕緣層、層間絕緣層、同層設置的所述PMOS的源極和所述PMOS的漏極，所述陣列基板還包括貫穿所述層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層的第一過孔，以及貫穿所述層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層的第二過孔，所述PMOS的源極通過所述第一過孔與所述PMOS的有源層連接，所述PMOS的漏極通過所述第二過孔與所述PMOS的有源層連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述PMOS的有源層包括位于依次連接的所述PMOS的第一歐姆接觸區、所述PMOS的溝道區和所述PMOS的第二歐姆接觸區。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述NMOS所在區域，所述陣列基板包括依次層疊設置于襯底基板上的第一柵極絕緣層、所述NMOS的有源層、第二柵極絕緣層、所述NMOS的柵極、層間絕緣層、同層設置的所述NMOS的源極和所述NMOS的漏極，所述陣列基板還包括貫穿所述層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層的第三過孔，以及貫穿所述層間絕緣層和所述第二柵極絕緣層的第四過孔，所述NMOS的源極通過所述第三過孔與所述NMOS的有源層連接，所述NMOS的漏極通過所述第四過孔與所述NMOS的有源層連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述NMOS的有源層包括依次連接的所述NMOS的第一歐姆接觸區、所述NMOS的第一輕摻雜區、所述NMOS的第一子有源層、所述NMOS的第二輕摻雜區、所述NMOS的第二子有源層、所述NMOS的第三輕摻雜區、所述NMOS的第三子有源層、所述NMOS的第四輕摻雜區和所述NMOS的第二歐姆接觸區，所述NMOS的第一子柵極與所述NMOS的第一子有源層對應，所述NMOS的第二子柵極與所述NMOS的第三子有源層對應。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述襯底基板和所述第一柵極絕緣層之間的光線遮擋結構，所述光線遮擋結構與所述NMOS的第一子有源層和所述NMOS的第三子有源層對應。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1～7任一項所述的陣列基板。