[發(fā)明專(zhuān)利]一種基準(zhǔn)源和電阻構(gòu)成的輸出過(guò)流保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610092536.X
• 申請(qǐng)日: 2016-02-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105743059B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑泉;楊翠俠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一四研究所蘇州研發(fā)中心
• 主分類(lèi)號(hào): H02H3/087
• 分類(lèi)號(hào): H02H3/087;H02H3/20
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 耿英;董建林

本發(fā)明公開(kāi)了一種基準(zhǔn)源和電阻構(gòu)成的輸出過(guò)流保護(hù)電路，包括采樣電阻、采樣信號(hào)比較開(kāi)關(guān)單元、保電延遲開(kāi)關(guān)單元和PMOS主開(kāi)關(guān)管；采樣信號(hào)比較開(kāi)關(guān)單元根據(jù)采樣電阻的采樣電壓，判斷該采樣電壓與基準(zhǔn)門(mén)限電壓的關(guān)系，當(dāng)該采樣電壓不小于基準(zhǔn)門(mén)限電壓時(shí)，保電延遲開(kāi)關(guān)單元充電，使PMOS主開(kāi)關(guān)管關(guān)閉，使輸入電壓與輸出電壓斷開(kāi)，輸入電壓即為需要保護(hù)的電源輸出端電壓；當(dāng)該采樣電壓小于基準(zhǔn)門(mén)限電壓時(shí)，保電延遲開(kāi)關(guān)單元放電，使PMOS主開(kāi)關(guān)管經(jīng)一放電時(shí)間的延遲后開(kāi)啟，使輸出電壓正常。本發(fā)明的輸出過(guò)流保護(hù)電路只采用采樣電阻、基準(zhǔn)源和PMOS管等元器件，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，避免采用運(yùn)算放大器，大大降低了成本，并且過(guò)流保護(hù)可靠。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種過(guò)流保護(hù)電路，屬于電路技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

電源輸出端過(guò)流保護(hù)電路一般采用采樣電阻、運(yùn)算放大器、基準(zhǔn)源和控制開(kāi)關(guān)組成，這種方案由于包括運(yùn)算放大器，所以電路的成本較高。也有些過(guò)流保護(hù)電路采用控制集成電路芯片，使得電路非常復(fù)雜，成本同樣較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基準(zhǔn)源和電阻構(gòu)成的輸出過(guò)流保護(hù)電路，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，過(guò)流保護(hù)可靠。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種基準(zhǔn)源和電阻構(gòu)成的輸出過(guò)流保護(hù)電路，其特征是，包括RS采樣電阻、采樣信號(hào)比較開(kāi)關(guān)單元、保電延遲開(kāi)關(guān)單元和PMOS主開(kāi)關(guān)管；

采樣信號(hào)比較開(kāi)關(guān)單元根據(jù)RS采樣電阻的采樣電壓，判斷該采樣電壓與基準(zhǔn)門(mén)限電壓的關(guān)系，當(dāng)該采樣電壓不小于基準(zhǔn)門(mén)限電壓時(shí)，保電延遲開(kāi)關(guān)單元充電，使PMOS主開(kāi)關(guān)管關(guān)閉，使輸入電壓與輸出電壓斷開(kāi)，輸入電壓即為需要保護(hù)的電源輸出端電壓；當(dāng)該采樣電壓小于基準(zhǔn)門(mén)限電壓時(shí)，保電延遲開(kāi)關(guān)單元放電，使PMOS主開(kāi)關(guān)管經(jīng)一放電時(shí)間的延遲后開(kāi)啟，使輸出電壓正常。

所述采樣信號(hào)比較開(kāi)關(guān)單元包括基準(zhǔn)源，基準(zhǔn)源的陰極經(jīng)第三電阻與輸入電壓連接，基準(zhǔn)源的陽(yáng)極接地，基準(zhǔn)源的參考極連接至第一電阻與第二電阻的共接點(diǎn)上；第一電阻、第二電阻與RS采樣電阻串聯(lián)在輸入電壓VO1與地之間。

基準(zhǔn)源采用TL431。

所述保電延遲開(kāi)關(guān)單元包括PMOS管，在PMOS管的漏極與地之間連接充電電容，PMOS管的源極接輸入電壓，PMOS管的柵極接基準(zhǔn)源的陰極與第三電阻的共接端，第三電阻的另一端接輸入電壓；PMOS管的源極與漏極之間連接第四電阻，PMOS管的漏極與地之間連接有與充電電容相并聯(lián)的第五電阻。

所述PMOS主開(kāi)關(guān)管為串聯(lián)在輸入電壓與輸出電壓之間的PMOS主開(kāi)關(guān)管， PMOS主開(kāi)關(guān)管的源極與輸入電壓連接，漏極與輸出電壓連接，由PMOS主開(kāi)關(guān)管的通斷起到輸出保護(hù)的功能。

所述PMOS主開(kāi)關(guān)管為串聯(lián)在輸入電壓與輸出電壓之間的PMOS主開(kāi)關(guān)管，PMOS主開(kāi)關(guān)管的源極與輸入電壓連接，漏極與輸出電壓連接，PMOS主開(kāi)關(guān)管的柵極連接至第四電阻和第五電阻的共接點(diǎn)上。

本發(fā)明所達(dá)到的有益效果：

本發(fā)明的輸出過(guò)流保護(hù)電路對(duì)電源輸出端的保護(hù)只包括采樣電阻、基準(zhǔn)源和PMOS管等元器件，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，避免采用運(yùn)算放大器，大大降低了成本，并且過(guò)流保護(hù)可靠。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的原理框圖；

圖2是本發(fā)明的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。