[發(fā)明專利]一種基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610090495.0
• 申請日: 2016-02-18
• 公開（公告）號: CN105576504A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇輝;陳陽華;林中晞;林琦
• 申請（專利權(quán)）人: 福建中科光芯光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，包括依次設(shè)置的下電極、襯底、下接觸、有源層、上接觸層、蓋層、介質(zhì)膜層、上電極構(gòu)成，其特征在于：所述有源層為半導(dǎo)體異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的一側(cè)為與襯底同質(zhì)的材料，異質(zhì)節(jié)的另一側(cè)為與襯底晶格常數(shù)相同而禁帶寬度不同的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：所述半導(dǎo)體異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)具有量子效應(yīng)增強的二維電子氣發(fā)光機制，其發(fā)光波段為1064nm段。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：所述襯底材料為InP。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：所述半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)是單重結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)為InP/InAlAs，其中InP層厚度為20-40nm，InAlAs層厚度為20-40nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)是多重結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)為InP/InAlAs，異質(zhì)結(jié)周期為40-80nm，InP層厚度為20-40nm，InAlAs層厚度為20-40nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于半導(dǎo)體界面異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)的激光器，其特征在于：異質(zhì)節(jié)結(jié)構(gòu)為InP/InAlAs，異質(zhì)結(jié)周期大于80nm，其InP層厚度為大于40nm，InAlAs層厚度為大于40nm。