[發明專利]低損耗低介電常數微波介電陶瓷Mg2Bi3VO9在審
| 申請號： | 201610090414.7 | 申請日： | 2016-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN105565804A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發明（設計）人： | 李純純;孫璇;鄧酩 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | C04B35/453 | 分類號： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 損耗 介電常數 微波 陶瓷 mg sub bi vo | ||
【權利要求書】：
1.一種低損耗溫度穩定型低介電常數微波介電陶瓷，其特征在于所述微波介電陶瓷的 化學組成為：Mg2Bi3VO9；
所述微波介電陶瓷的制備方法具體步驟為：
（1）將純度為99.9%（重量百分比）以上的MgO、Bi2O3和V2O5的原始粉末按Mg2Bi3VO9的組成 稱量配料；
（2）將步驟（1）原料濕式球磨混合12小時，球磨介質為蒸餾水，烘干后在800℃大氣氣氛 中預燒6小時；
（3）在步驟（2）制得的粉末中添加粘結劑并造粒后，再壓制成型，最后在850~900℃大氣 氣氛中燒結4小時；所述的粘結劑采用質量濃度為5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉 末總質量的3%。
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