[發明專利]用于測量晶片堆疊的層厚度和晶格缺陷的測量裝置和方法有效
| 申請號： | 201610090364.2 | 申請日： | 2010-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN105737773B | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | M.溫普林格 | 申請（專利權）人： | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號： | G01B17/02 | 分類號： | G01B17/02;G01N29/04;G01N29/265;G01N29/27;G01N29/275;H01L21/66;H01L21/67;G01B11/06 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吳晟;劉春元 |
| 地址： | 奧地利圣*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測量 晶片 堆疊 厚度 晶格 缺陷 裝置 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于在多個測量位置上測量和/或檢測臨時結合的晶片堆疊的一個或多個層的層厚度和晶格缺陷的方法，具有下列序列：
-布置測量裝置，用于在相對于所述晶片堆疊的平坦側的測量位置上測量和/或檢測所述晶片堆疊的層的層厚度和晶格缺陷，
-通過所述測量裝置的發送器來發送電磁波形式的信號，并通過所述測量裝置的接收器來接收由所述晶片堆疊所反射的信號，
-通過分析單元來分析由所述接收器所接收的信號，其中由所述分析單元來區分由所述晶片堆疊的層之間的至少兩個過渡所反射的信號，并確定其到彼此和/或到參考平面（R）的距離，并且其中能夠檢測所述晶片堆疊和/或所述測量裝置平行于所述參考平面（R）的移動，并從而能夠檢測沿所述參考平面（R）的每個測量位置的位置。
2.如權利要求1所述的方法，其中只要確定沒有質量標準的偏差，則在分析之后施加研磨步驟。
3.如權利要求1所述的方法，其中在質量標準的偏差的情況下重新加工所述晶片堆疊。
4.如權利要求2所述的方法，其中與所述測量裝置空間分離地施加所述研磨步驟。
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