[發明專利]發光元件，發光器件，電子器件和照明器件

有效

• 申請號: 201610090066.3
• 申請日: 2011-03-30
• 公開（公告）號: CN105742516B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 能渡廣美;瀨尾哲史
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊

1.一種發光元件，其包括:

位于陽極和陰極之間的n個EL層，n是大于或等于2的自然數；以及

從所述陽極計，介于第m個EL層和第(m+1)個EL層之間的第一層，第二層和第三層，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然數，

其中，所述第一層提供在所述第(m+1)個EL層和所述第二層之間，與所述第(m+1)個EL層以及所述第二層接觸，并且包含有機化合物和受體物質，

所述第二層提供在所述第一層和所述第三層之間，與所述第一層和所述第三層接觸，由基于酞菁的材料形成，

所述第二層還包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，

所述第三層提供在所述第二層和所述第m個EL層之間，與所述第二層和所述第m個EL層接觸，并且包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物。

2.一種發光元件，其包括:

位于陽極和陰極之間的n個EL層，n是大于或等于2的自然數；以及

從所述陽極計，介于第m個EL層和第(m+1)個EL層之間的第一層，第二層和第三層，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然數，

其中，所述第一層提供在所述第(m+1)個EL層和所述第二層之間，與所述第(m+1)個EL層以及所述第二層接觸，并且包含有機化合物和受體物質，

所述第二層提供在所述第一層和所述第三層之間，與所述第一層和所述第三層接觸，由基于酞菁的材料形成，

所述第二層還包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，

所述第三層提供在所述第二層和所述第m個EL層之間，與所述第二層和所述第m個EL層接觸，且包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，并且

所述第一層具有包含所述有機化合物的層與包含所述受體物質的層的層疊結構。

3.如權利要求1或2所述的發光元件，

其特征在于，所述受體物質是氧化鉬。

4.一種發光元件，其包括:

位于陽極和陰極之間的n個EL層，n是大于或等于2的自然數；以及

從所述陽極計，介于第m個EL層和第(m+1)個EL層之間的第一層，第二層和第三層，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然數，

所述第一層提供在所述第(m+1)個EL層和所述第二層之間，與所述第(m+1)個EL層以及所述第二層接觸，并且包含有機化合物以及過渡金屬氧化物或者周期表第4-8族的任意金屬的氧化物，

所述第二層提供在所述第一層和所述第三層之間，與所述第一層和所述第三層接觸，由基于酞菁的材料形成，包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，

所述第三層提供在所述第二層和所述第m個EL層之間，與所述第二層和所述第m個EL層接觸，包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物。

5.一種發光元件，其包括:

位于陽極和陰極之間的n個EL層，n是大于或等于2的自然數；以及

從所述陽極計，介于第m個EL層和第(m+1)個EL層之間的第一層，第二層和第三層，m是大于或等于1且小于或等于(n-1)的自然數，

所述第一層提供在所述第(m+1)個EL層和所述第二層之間，與所述第(m+1)個EL層以及所述第二層接觸，并且包含有機化合物以及過渡金屬氧化物或者周期表第4-8族的任意金屬的氧化物，

所述第二層提供在所述第一層和所述第三層之間，與所述第一層和所述第三層接觸，由基于酞菁的材料形成，包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，

所述第三層提供在所述第二層和所述第m個EL層之間，與所述第二層和所述第m個EL層接觸，包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物，并且

所述第一層具有包含所述有機化合物的層與包含所述過渡金屬氧化物或者周期表第4-8族的任意金屬的氧化物的層的層疊結構。