[發明專利]雙柵極TFT陣列基板及制作方法

在審

• 申請號: 201610089516.7
• 申請日: 2016-02-18
• 公開（公告）號: CN105720012A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 葛世民
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/417
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在玻璃基板上沉積第一金屬層，并在該第一金屬層上形成底柵極；

在所述玻璃基板以及底柵極上沉積第一絕緣層，并在該第一絕緣層上形成半導體層；

在所述半導體層以及該第一絕緣層上沉積第二絕緣層，在該第二絕緣層上形成將該半導體層露出的第一過孔以及第二過孔；

在所述第二絕緣層上沉積公共電極層，該公共電極層通過該第一過孔以及第二過孔與半導體層接觸；

在所述公共電極層上沉積第二金屬層，在所述第二金屬層上涂布第一光阻層；通過光罩對所述第一光阻層進行圖形化處理，并對所述第二金屬層上未被所述第一光阻層覆蓋的區域進行濕法刻蝕，以在所述公共電極層形成公共電極，在所述第二金屬層形成源極和漏極；

將所述第一光阻層以及該第二金屬層上除所述源極和漏極以外的金屬除去；

在所述第二絕緣層、第二金屬層以及所述公共電極層上沉積第三絕緣層，在該第三絕緣層上形成將所述源極露出的第三過孔；

在所述第三絕緣層上設置像素電極層以及頂柵極，所述像素電極層通過該第三過孔與所述源極接觸。

2.根據權利要求1所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第三絕緣層上設置像素電極層以及頂柵極的步驟包括：

在所述第三絕緣層上沉積像素電極層；在所述像素電極層上沉積第三金屬層；在所述第三金屬層上涂布第二光阻層；通過光罩對所述第二光阻層進行圖形化處理，并對所述第三金屬層上未被第二光阻層覆蓋的區域進行濕法刻蝕，以在所述第三金屬層形成頂柵極，在所述像素電極層形成像素電極；

將該第二光阻層以及第三金屬上除所述頂柵極的金屬除去。

3.根據權利要求1或2所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所送半導體層包括銦鎵鋅氧化物半導體。

4.根據權利要求1或2所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述像素電極層包括氧化銦錫或氧化銦鋅。

5.根據權利要求1或2所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括二氧化硅以及氮化硅。

6.根據權利要求1或2所述的雙柵極TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第三絕緣層包括氮化硅。

7.一種雙柵極TFT陣列基板，其特征在于，包括：

玻璃基板；

底柵極，其設置與該玻璃基板上；

第一絕緣層，其設置于該底柵極以及所述玻璃基板上；

半導體層，其設于所述第一絕緣層上并位于所述底柵極上方；

第二絕緣層，其設于所述半導體層以及所述第一絕緣層上，該第二絕緣層上設有將該半導體層露出的第一過孔和第二過孔；

公共電極層，其設置于所述第二絕緣層上，所述公共電極層通過所述第一過孔以及所述第二過孔與所述半導體層接觸，所述公共電極層上形成有公共電極；

源極以及漏極，所述源極以及漏極均設于所述公共電極層上；

第三絕緣層，其設置于所述第二絕緣層、所述公共電極層、所述源極以及漏極上；

像素電極層，其設置于所述第三絕緣層之上，該像素電極層上形成有像素電極；

頂柵極，其設置于所述像素電極層之上。

8.根據權利要求1所述的雙柵極TFT陣列基板，其特征在于，所送半導體層包括銦鎵鋅氧化物半導體。

9.根據權利要求1所述的雙柵極TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極層包括氧化銦錫或氧化銦鋅。

10.根據權利要求1所述的雙柵極TFT陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層包括二氧化硅以及氮化硅。