[發明專利]一種納米壓印復合模板的制備方法

在審

• 申請號: 201610089336.9
• 申請日: 2016-02-17
• 公開（公告）號: CN107092162A
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 趙常寧;史曉華
• 申請（專利權）人: 蘇州光舵微納科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司32232
• 代理人: 魏亮芳

1.一種軟模板材料的制備方法，所述軟模板材料由巰基低聚倍半硅氧烷(POSS-SH)嫁接低表面能的氟化交聯劑而合成，所述軟模板材料的合成由下述式I所示：

2.一種納米壓印復合模板的制備方法，包括以下步驟：

1)母板的制備：首先在硅片上涂布一光刻膠層，然后在光刻膠層上刻印出圖案，再使用等離子體刻蝕把所述光刻膠層上的圖案轉移到硅片上，去膠清洗后，得到帶有圖案的母板；優選地，圖案為直徑500納米，圓柱成密堆積分布，周期大小為900納米；更優選地，蝕刻深度為700納米；

2)溶液的準備：將固化劑分別與權利要求1制備的軟模板材料、PDMS混合，得到軟模板材料溶液和PDMS溶液；

3)納米壓印復合模板的制備：將所述軟模板材料溶液涂布在所述帶有圖案的母板上，得到涂布有軟模板材料溶液的母板；然后將所述涂布有軟模板材料溶液的母板置于限制模具中，再倒入所述PDMS溶液，得到平鋪有PDMS溶液的母板；再加熱烘烤所述平鋪有PDMS溶液的母板，取下限制模具，并將母板去除，得到納米壓印復合模板，即得。

3.根據權利要求2所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征子在于，在步驟1)中，得到帶有圖案的母板后，還包括將所述帶有圖案的母板的表面旋涂一層抗粘劑，再加熱烘烤的步驟。

4.根據權利要求3所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征子在于，所述抗粘劑為CF₃(CF₂)₅(CH₂)₂SiCl₃。

5.根據權利要求3或4所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特 征子在于，于75～85℃的熱板上加熱烘烤45～75S；優選地，于80℃的熱板上加熱烘烤60S。

6.根據權利要求2至4中任一項所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征子在于，在步驟2)中，將軟模板材料和固化劑以10∶2～4的體積比混合；優選地，將軟模板材料和固化劑以10∶3.1的體積比混合。

7.根據權利要求2至4中任一項所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，于75～85℃的熱板上加熱烘烤所述平鋪有軟模板材料溶液的母板0.5～1.5h；優選地，于80℃的熱板上加熱烘烤所述平鋪有紫外固化劑溶液的母板1h。

8.根據權利要求2至4中任一項所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，將所述PDMS溶液倒入所述限制模具中，靜置5分鐘，使所述PDMS溶液平鋪在所述紫外固化劑溶液的母板上，所述限制模具的結構與所述母板相適配。

9.根據權利要求2至4中任一項所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征在于，在步驟3)中，得到涂布有軟模板材料溶液的母板后，還包括在所述涂布有軟模板材料溶液的母板上涂布一層CF₃(CF₂)₅(CH₂)₂SiCl₃溶液，然后再加熱烘烤的步驟。

10.根據權利要求9所述的納米壓印復合模板的制備方法，其特征在于，于95～105℃的熱板上加熱烘烤60～120S；優選地，100℃的熱板上加熱烘烤90S。