[發(fā)明專利]一種磁控元件和磁控濺射裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610089138.2
• 申請(qǐng)日: 2016-02-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107090573A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊玉杰;羅建恒;耿波;張同文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td>

1.一種磁控元件，包括分別呈環(huán)狀曲線的第一磁極和第二磁極，所述第一磁極和所述第二磁極極性相反，所述第一磁極和所述第二磁極相互嵌套且相互之間形成磁場(chǎng)，其特征在于，所述第一磁極和所述第二磁極之間形成的間隔區(qū)域的寬度為第一間距，所述第一間距能使沉積在基片上的膜層厚度均勻性不大于3％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一間距的范圍為40-60mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一間距為45mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁極和所述第二磁極的環(huán)狀曲線的極坐標(biāo)方程為r²＝a×θ²+b×(tanθ)²+c，其中，a、b和c為常量，θ為環(huán)狀曲線上任意一點(diǎn)的極角，r為環(huán)狀曲線上任意一點(diǎn)的極徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述第一磁極和所述第二磁極的環(huán)狀曲線的極坐標(biāo)方程為θ＝r-arctan(r)，其中，θ為環(huán)狀曲線上任意一點(diǎn)的極角，r為環(huán)狀曲線上任意一點(diǎn)的極徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的磁控元件，其特征在于，所述第二磁極圍設(shè)在所述第一磁極的外圍，所述磁控元件的旋轉(zhuǎn)中心位于所述第一磁極和所述第二磁極之間形成的間隔區(qū)域內(nèi)，所述第二磁極的遠(yuǎn)離靶材中心一側(cè)的邊緣覆蓋與其對(duì)應(yīng)的所述靶材的邊緣。

7.一種磁控濺射裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的磁控元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置，其特征在于，還包括靶材，所述靶材的中心與所述磁控元件的旋轉(zhuǎn)中心相重合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射裝置，其特征在于，還包括托盤(pán)，用于承載基片，所述托盤(pán)設(shè)置在所述靶材的下方，且所述托盤(pán)與所述靶材相對(duì)；所述托盤(pán)的直徑小于或等于330mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述靶材與所述基片之間的間距范圍為50-70mm。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述磁控濺射裝置用于濺射導(dǎo)體材料，所述導(dǎo)體材料包括氧化銦錫、氮化鈦或銅。