[發明專利]穿過溝槽的選擇性鍺P接觸金屬化

有效

• 申請號: 201610088996.5
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN105720091B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: G·A·格拉斯;A·S·莫西;T·甘尼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/165
• 分類號: H01L29/165;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/285
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 姬利永

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

從襯底延伸的半導體鰭；

柵結構，毗鄰所述半導體鰭的頂部和兩側，所述柵結構包括柵電介質和柵電極，所述柵電介質在所述柵電極和所述半導體鰭的至少部分之間；

源區和漏區，所述源區和所述漏區各自包括硅、鍺和p型摻雜劑，所述源區和所述漏區各自具有包括第一漸變部分、第二漸變部分、以及位于所述第一和第二漸變部分之間的實質上固定部分的總厚度，其中所述第一漸變部分中的至少一個具有從基本水平濃度漸變至第一水平濃度的鍺濃度，以及

所述第二漸變部分中的至少一個具有從所述第一水平濃度漸變至超過50原子百分比的第二水平的鍺濃度，所述第一水平高于所述基本水平，且所述第二水平高于所述第一水平；以及

絕緣層，位于所述襯底上，所述絕緣層具有至少在所述源區和漏區的每一個上方形成的接觸溝槽；

第一和第二金屬接觸結構，分別位于所述源區和所述漏區之上，所述第一和第二金屬接觸結構至少部分地在所述接觸溝槽內。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，鍺的所述基本水平濃度約為0原子百分比，且鍺的所述第一水平濃度約為30原子百分比。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一和第二接觸結構各自包括相應的源和漏區上的鈦層、鈦層上的氮化鈦層、以及氮化鈦層上的鎢層。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源區的總厚度是所述第一接觸結構的底部與所述源區的底部之間的距離、并且在50-250nm的范圍內，且所述源區的第二漸變部分具有在3-12nm的范圍內的厚度。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述源區的第二漸變部分具有在5-10nm的范圍內的厚度。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述漏區的總厚度是所述第二接觸結構的底部與所述漏區的底部之間的距離、并且在50-250nm的范圍內，且所述漏區的第二漸變部分具有在3-12nm的范圍內的厚度。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述所述漏區的第二漸變部分具有在5-10nm的范圍內的厚度。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，第一和第二凹部，在所述半導體鰭中，其中所述源區至少部分在所述第一凹部中，且所述漏區至少部分在所述第二凹部中。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還包括第一和第二柵間隔體，所述第一和第二柵間隔體以相對方式排列，使得所述柵電極的至少部分在所述第一和第二柵間隔體之間，其中所述第一和第二凹部中的一個或多個在所述第一和第二柵間隔體中的對應的一者下方延伸。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述實質上固定部分中的至少一個具有鍺的最低濃度水平，所述最低濃度水平在固定部分中的鍺的最高濃度水平的20％之內。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述實質上固定部分中的至少一個具有鍺的最低濃度水平，所述最低濃度水平在固定部分中的鍺的最高濃度水平的10％之內。